筑波大まとめ

2022年3月22日

SBD内蔵MOSFETの新規等価回路モデル開発と寄生PNダイオードのクランプ能力向上（東芝、東芝D&S）

SBD内蔵MOSFETの寄生PNダイオードが動作しない上限電流を表す等価回路モデルを開発し、導出した解析式から設計指針を得た。導出した設計指針に基づき、3.3kVデバイスを作製し、200℃における上限電流を従来構造の4.8倍に向上させた。

2022年3月24日

MOSFET特性の表面水素処理時間依存性（京大）

酸化抑制プロセスにおけるMOSFET特性向上のカギであるSiO2堆積前の水素処理(エッチング)時間がデバイス特性に与える影響を評価した。1350℃の水素処理時間を8，15，30分と長くするにつれて界面準位密度は低減し、電界効果移動度は61cm2/Vsと未処理デバイスの2.1倍に向上した。STEM、HAADF、SIMSなどの物理分析では水素処理時間の依存性は見られていない。

2022年3月25日

エピ膜中の積層欠陥による電流制限効果（電中研）

エピ層中に種々の積層欠陥(SF)を含むSBDを作製し、その影響を調べた。順方向の抵抗増大への影響はダブルショックレー型SFが最も大きく、シングルショックレー型SFは最も小さい。これらはSFにより形成される量子井戸の深さで説明できる。また、200℃以上では1SSFは抵抗増加因子にならないことを示した。

2022年3月25日

SiC 相補型 JFET 論理ゲートの 350℃動作（京都大学）

今回作製した相補型JFET インバータの、p 型および n 型領域は全てイオン注入で作製し、 pJFET および nJFET の閾値電圧は－0.63 および 0.61 V とノーマリーオフを実現している。また、室温~350℃における 相補型JFET インバータの伝達特性から、いずれの温度でも良好なインバータ特性が得られている。