去る9月11日から16日、米国オハイオ州クリーブランドにて、ICSCRM2011が開催されました。会員の中で参加された方々にお願いし、印象に残った講演/ポスターセッションを3件程度、短いコメントをつけてあげていただきました。
　その結果を全般、材料、デバイス/基盤技術/製造プロセス技術、実装とモジュールの4つに大分類し、更にプログラムに沿った分野に区分して表に示しました。講演番号の下の（　）内の数字は挙げて頂いた数です。
　聴講できなかった方にもご参考として頂きたいと思います。
　なお、アンケート結果の後に、FUPETの氷見様より提供されました発表の集計表を＜参考文献＞として掲載致しますので、合わせてご参考にして下さい。
　アンケートへの御回答は、16名から頂きました。ご協力有難うございました。

＜全般＞
　開会と閉会時にそれぞれ行われたARPA-EとCree社の講演が選ばれています。

＜材料＞
　トヨタ自動車と住友金属による4H-SiCの液相成長に関する講演を5名の方が挙げています。

＜デバイス/基盤技術/製造プロセス技術＞
　ダイオードのリーク電流と表面モルフォロジーに関するトヨタ自動車、トヨタ中研、デンソーの招待講演を4名、SiC半導体デバイスへのインフィニオンの取り組みを述べた講演を3名、BJTの優れた特性をライフタイムの基礎的な研究から実現した京都大学の講演を3名の方々が、それぞれ挙げています。

＜実装とモジュール＞
　200℃以上で動作可能な高温仕様で高機能なSiCモジュールについてのAPEI,Incの講演を2名の方が挙げています。

＜参考資料＞