筑波大学まとめ

主催：エレクトロニクス実装学会
2019年4月17日～20日＠朱鷺メッセ（新潟）にて開催
参加者約400名。

【主な発表】

1. Ga2O3-SBD評価結果報告（Kaneko et al., Kyoto Univ. )
   Ga2O3-SBDの逆回復特性ならびに順方向特性結果報告。
   I-Vのビルトイン電圧がバンドギャップに比べ小さい（Vbi~1.0V)、逆回復電流がSiC-SBDよりも小さいとの報告。
   
   
2. 厚Cu-PCB技術を適用した新型PKG（H. Ishibashi et al., Mitsubishi Electric)
   AlワイヤーBondingからDLB（Direct Lead Bonding)に変更し、かつ厚Cu-PCBを適用。この技術により、PKGの小型化ならびに低インダクタンスを実現したと報告。さらにチップ内の温度分布の均一化も可能となった。
   
   
3. SVC（Static Var Compensator)向け3.3 kV SiCトレンチMOSFETモジュール (R. Takayanagi et al., Fuji Electric)
   新PKG技術を適用した3.3kV SiCトレンチMOSFETモジュールを発表。epoxy resinからcyanate resinへ、またCu baseplateからMgSiC baseplateへ変更。なおかつ、3.3 kV SiC MOSFETプレーナからとトレンチゲートへ変更することで、低損失で高信頼特性を得たと報告。