筑波大まとめ

2022年3月23日

高速スイッチングに対応したアクティブゲート制御の検討（産総研）

SIC MOSFETの高速スイッチング特性に伴うサージ電圧の増加が、絶縁破壊や制御装置の誤動作の問題となっている。本論文は市販ゲートドライバを複数個用いスイッチングのタイミングを制御することで、SiC MOSFETターンオフ時のサージ電圧を、その高速性スイッチング特性を変えることなく、従来の150Vから45Vに、1/3に抑制することに成功した、としている。