筑波大学まとめ

2019年9月2日～5日＠名古屋大学にて開催。通常のセッションに加え、ランプセッション「Wide bandgap and Silicon power: Vision to reality」が開催され、Si, SiC、GaN、Ga2O3、ダイヤモンドのデバイスプロセス・デバイス特性について、それぞれの立場の研究者、技術者がその優位性を主張し、今後の見通し等について議論された。最後に聴講者の投票で、今後もっとも期待するパワー半導体材料は何かとの問いに対する回答は、Siが最多数を占めた。

主な発表

(1) State-of-the-art IGBT and development towards higher operation temperature and power rating（J. Vobecky, ABB)

最新Si-IGBT（RC-IGBT）の開発状況の報告。Tjmax 200℃化、ならびに高パワー密度実現に向けての開発が積極的に行われていると報告。ABBでも200℃化に向けた素子開発を進行中。信頼性試験はこれからとのこと。

(2) Demonstration of 1200V/1.4mΩcm2 vertical GaN planar MOSFET fabricated by all ion implantation process (R. Tanaka, 富士電機、山梨大学)

1200V素子試作結果の報告。MgインプラとNインプラでp層形成。N層はSiインプラ。SiO2は100nm。プラズマCVD（TEOSガス）で形成。アバランシェ耐量に難あり。

(3) (111)vertical-type 2DHG diamond MOSFETs with hexagonal trench structures (J. Nishimuwa, 早稲田大学)

2HG 縦型ダイヤモンドMOSFETの試作結果報告。トレンチMOSゲート部は六角形セル。耐圧50V、オン抵抗9.2mΩcm2。