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ISPSD2020報告

筑波大学まとめ

9/13-18の期間、online開催で行われた。参加者は500名以上。論文採択率がoral:13%, poster 27 % (total 40%)と年々厳しくなっており、この分野でのレベルの高い国際学会の一つとなっている。発表論文数138件。
SiC関連は45件。Oral 17件、Poster 28件。
Oral発表のうち、半分以上が日本からの発表
破壊耐量関連が10件と目立った。次いでSBD内蔵MOSFET(6件)

主な発表

① M. Okada et al,
Super Short-Circuit Performance of SiC Superjunction MOSFET(AIST、Toyota Motor, Fuji Electric)

  • 1.2kV SiC SJ-UMOSFETの負荷短絡耐量を評価
  • ホットスポットの違いにより、従来UMOSよりも優れた耐量。RonA-SCSOAトレードオフも向上

② F. J. Hsu et al.,
Design Consideration of Low Capacitance SiC JMOS for Adapting High-Speed Operation (Hestia Power Inc.)

SBD内蔵プレーナ型MOSFETのCrss低減に関する論文。

  • JMOSを用いてp-body層の設計がCrssに与える影響を検証
  • p+層濃度を濃くすることが、最も効率的なCrssを低減する設計

製品化をかなり意識した内容。