筑波大学まとめ

Birminghamにて、2018年9月2日～6日

一般参加者　378名　学生参加者　98名　展示者など含めて合計660名

• MOSプロセス関連；簡便な窒化プロセス（N2アニール：TU.01a.01）や界面に異種原子導入しないプロセス（Arアニール：TU.01a.05、低温熱酸化：WE.03a.03）
• 結晶成長関連；50umトレンチ埋め込みエピ（MO.02.03）
• 高耐圧デバイス関連；スイッチング特性を改善した6.5kV IBGT（WE.02.01→Best Paper Award）、15kV n-GTO（WE.02a.03）、27.5kV PiN diode（WE.02a.04）