11月7日(月)、京都環境ナノクラスター主催の第4回技術フォーラム「SiCパワーデバイスを活かす」～京都が拓くグリーンイノベーション～（JSTイノベーションプラザ京都）において、京都大学木本恒暢先生が「SiC国際学会ICSCRM2011の話題より――SiCパワーデバイスおよびその応用展開」と題して講演された。当アライアンスの広報に協力していただいている中田俊武さんがフォーラムに出席したので、その講演の感想を寄せていただくとともに、木本先生の講演の資料を先生のお許しを得て、紹介する。

　ICSCRM2011の参加者（合計603名）及び発表件数（379件）の分布を見ると、今やいずれも米国、欧州、アジアがほぼ世界を3等分するまでに至った。今後、このアジアを含めた3極を中心に開発競争が激化すると思われる。ただし、現在、日本の参加者（160～180名）及び発表件数（100件超）は、米国に次いで多く、欧州、アジアの他国を圧倒している。
　木本先生の報告「デバイス開発」では、各種発表の中から、大容量化、高耐圧化、高温対応モジュールなどをトピックスとして取り上げ、SiCではこのような高性能が得られているという事例が示された。CREEは1MW級変換器やSiC-（P-,N-）IGBTなど世界をリードする発表を行い、一方、日本からは、京大の高耐圧化及び高電流利得 BJT、ロームのトレンチMOSFETなどの発表の紹介があった。
　今回、FUPETが、30kW/Lに加え40kW/Lの高密度変換器を発表し、大きな話題になったことは、特筆すべきことだ。

• 「SiC国際学会ICSCRM2011の話題より――SiCパワーデバイスおよびその応用展開」