筑波大まとめ

会期・場所

2021年12月11日～15日　米国）サンフランシスコ＋On demand　Session

パワーデバイス関連発表全11件。SiC：3件、GaN-HEMT:3件、Ga2O3：1件、他Si　High Power device、回路関連など4件。日本からの発表は、京大（SiC）、三菱電機（SiC）、産総研（GaN-HEMT：SiCとのhybrid）の3件であった。SiC関連発表は以下の通り。

36－1

Physics and Innovative Technologies in SiC Power Devices (Invited),
(Kimoto他, 京都大学)

SiCの移動度異方性、pn接合破壊ならびにMOS界面特性解析の最近の成果について概説。SiC酸化工程を排除することで、界面準位密度は大幅に低減され2倍の移動度向上につながる。

36－２

Toward High Performance 4H-SiC MOSFETs Using Low Temperature Annealing Process with Supercritical Fluid (M. Wang他、Xi’an Jiaotong Univ, Xidian Univ.)

N2O（supercritical fluid N2O）を使用した120℃アニールプロセスによりSiC/SiO2界面特性の向上を示した。（0001）面にて、信頼性を確保した状態で電界効果移動度72.3 cm2/V・sを達成。

36-３

Gate Oxide Instability against a Wide Range of Negative Electric Field Stress of SiC MOSFETs（Noguchi他、三菱電機）

NBTIテストでのVthシフトがゲート注入電荷により説明でき、界面トラップ生成プロセスが2つの異なるプロセスから生じることを示した。

36-5

1.2 kV GaN/SiC-based Hybrid High Electron Mobility Transistor with Non-destructive Breakdown (Nakajima他、産総研)

GaN-HEMTとSiC PNダイオードをmonolithicに一体化した素子を、100ミリメートルΦSiCウェハを用いて試作した。耐圧1.27kV。非破壊のアバランシェ降伏が得られることを示した。

以上