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IEDM 2021(2021 International Conference on Solid State Devices and Materials)

筑波大まとめ

会期・場所

2021年12月11日~15日 米国)サンフランシスコ+On demand Session

パワーデバイス関連発表全11件。SiC:3件、GaN-HEMT:3件、Ga2O3:1件、他Si High Power device、回路関連など4件。日本からの発表は、京大(SiC)、三菱電機(SiC)、産総研(GaN-HEMT:SiCとのhybrid)の3件であった。SiC関連発表は以下の通り。

36-1

Physics and Innovative Technologies in SiC Power Devices (Invited),
(Kimoto他, 京都大学)

SiCの移動度異方性、pn接合破壊ならびにMOS界面特性解析の最近の成果について概説。SiC酸化工程を排除することで、界面準位密度は大幅に低減され2倍の移動度向上につながる。


36-2

Toward High Performance 4H-SiC MOSFETs Using Low Temperature Annealing Process with Supercritical Fluid (M. Wang他、Xi’an Jiaotong Univ, Xidian Univ.)

N2O(supercritical fluid N2O)を使用した120℃アニールプロセスによりSiC/SiO2界面特性の向上を示した。(0001)面にて、信頼性を確保した状態で電界効果移動度72.3 cm2/V・sを達成。

36-3

Gate Oxide Instability against a Wide Range of Negative Electric Field Stress of SiC MOSFETs(Noguchi他、三菱電機)

NBTIテストでのVthシフトがゲート注入電荷により説明でき、界面トラップ生成プロセスが2つの異なるプロセスから生じることを示した。

36-5

1.2 kV GaN/SiC-based Hybrid High Electron Mobility Transistor with Non-destructive Breakdown (Nakajima他、産総研)

GaN-HEMTとSiC PNダイオードをmonolithicに一体化した素子を、100ミリメートルΦSiCウェハを用いて試作した。耐圧1.27kV。非破壊のアバランシェ降伏が得られることを示した。

以上