更新情報
- 更新情報2021年1月8日
- 先進パワー半導体分科会第７回講演会
- 更新情報2021年1月8日
- 「価格はSi並み」のSiCパワー素子、米企業が逆張りで勝負
- 更新情報2021年1月8日
- 最大動作温度が＋125 ℃と高いフォトカプラー、東芝が発売
- 更新情報2021年1月8日
- オン抵抗を29％削減した600 V耐圧MOSFET、Vishayが発売
- 更新情報2021年1月8日
- IGBTの性能はまだ伸びる、新構造で損失6割減、SiCに迫る勢い
- 更新情報2021年1月8日
- SiCより25％も損失低威、EV向けGaN FETをTransphorm発売
- 更新情報2021年1月8日
- 100 Wと大出力のC帯GaNパワーアンプ、Qorvoがレーダー向け
- 更新情報2021年1月8日
- オン抵抗を62％削減したpチャネル型MOSFET、ローム発売
- 更新情報2021年1月8日
- USB充電器に向けた40 V耐圧GaN FET、EPCが3 mΩ品
- 更新情報2021年1月8日
- パナソニック、車載向け電源用インダクターの損失を半減
- 更新情報2021年1月6日
- 活動経過（除 WG会議）
- 更新情報2020年12月7日
- 700 V／1200 V耐圧の車載用SiCダイオード、Microchip発売
- 更新情報2020年12月7日
- 損失を約30%削減したSiCパワーMOSFET、三菱電機が発売
- 更新情報2020年12月7日
- 再エネ発電の大型インバーター向けフィルムコン、TDK発売
- 更新情報2020年12月7日
- 170 V耐圧のGaN FET、EPCがオン抵抗6.8 mΩ品
- 更新情報2020年12月7日
- 実装面積を23％削減した600 V耐圧SJ型MOSFET、A&O発売
- 更新情報2020年12月7日
- GaN FETとドライバーを集積した車載用電源IC、TIが発売