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更新情報

更新情報2020年5月11日
オン抵抗を60%削減したDFN0606封止のMOSFET、ネクスペリアが発売
更新情報2020年5月11日
トランスフォームが第4世代のGaN FETを発売、性能指数を10%改善
更新情報2020年5月11日
オン抵抗を抑えた+650V耐圧のSiCパワーMOSFET、クリーが発売
更新情報2020年5月11日
1.5mm×1.1mm×0.39mmと小さいゲート駆動IC、インフィニオンが発売
更新情報2020年5月11日
トランスフォームとマイクロチップがGaNデバイス搭載のPFC評価ボード
更新情報2020年5月11日
「安全性マージンが広い」SiCダイオード、インフィニオンが2端子D2PAK品
更新情報2020年5月11日
東芝デバイス&ストレージ、650V耐圧SJ型MOSFETの品ぞろえを拡充
更新情報2020年5月11日
トヨタとホンダが続々採用、 新パワー素子は本命SiCへの“つなぎ”
更新情報2020年5月11日
最新プロセス採用でオン抵抗を40%削減した80V耐圧MOSFET、東芝が発売
更新情報2020年5月8日
学会・シンポジウム情報
更新情報2020年4月17日
高速スイッチング対応の900V/1200V耐圧SiC MOSFET、オンセミが発売
更新情報2020年4月17日
低オン抵抗のpチャネル型MOSFETをトレックスが2製品発売
更新情報2020年4月17日
GaNトランジスタとゲートドライバーを集積したIC、EPCが発売
更新情報2020年4月17日
低電流化が図れるIGBT/MOSFET駆動向けフォトカプラー、東芝が発売
更新情報2020年4月17日
実装面積が18mm×7.5mmと小さいBLDCモーター駆動用IPM、A & Oが発売
更新情報2020年4月13日
委員会・WG議事録の簡易版
会員限定2020年4月13日
2019年度第6回企画委員会
更新情報2020年4月9日
SiCアライアンス概要
会員限定2020年4月8日
第8回筑波大学パワーエレクトロニクス未来技術研究会の報告