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更新情報

更新情報2021年1月8日
先進パワー半導体分科会第7回講演会
更新情報2021年1月8日
「価格はSi並み」のSiCパワー素子、米企業が逆張りで勝負
更新情報2021年1月8日
最大動作温度が+125 ℃と高いフォトカプラー、東芝が発売
更新情報2021年1月8日
オン抵抗を29%削減した600 V耐圧MOSFET、Vishayが発売
更新情報2021年1月8日
IGBTの性能はまだ伸びる、新構造で損失6割減、SiCに迫る勢い
更新情報2021年1月8日
SiCより25%も損失低威、EV向けGaN FETをTransphorm発売
更新情報2021年1月8日
100 Wと大出力のC帯GaNパワーアンプ、Qorvoがレーダー向け
更新情報2021年1月8日
オン抵抗を62%削減したpチャネル型MOSFET、ローム発売
更新情報2021年1月8日
USB充電器に向けた40 V耐圧GaN FET、EPCが3 mΩ品
更新情報2021年1月8日
パナソニック、車載向け電源用インダクターの損失を半減
更新情報2021年1月6日
活動経過(除 WG会議)
更新情報2020年12月7日
700 V/1200 V耐圧の車載用SiCダイオード、Microchip発売
更新情報2020年12月7日
損失を約30%削減したSiCパワーMOSFET、三菱電機が発売
更新情報2020年12月7日
再エネ発電の大型インバーター向けフィルムコン、TDK発売
更新情報2020年12月7日
170 V耐圧のGaN FET、EPCがオン抵抗6.8 mΩ品
更新情報2020年12月7日
実装面積を23%削減した600 V耐圧SJ型MOSFET、A&O発売
更新情報2020年12月7日
GaN FETとドライバーを集積した車載用電源IC、TIが発売
更新情報2020年12月4日
SEMICON Japan 2020 VirtualにSiCアライアンスが出展します(バーチャル展示会:12/14~12/17)