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更新情報

更新情報2020年10月9日
ISPSD2020報告
更新情報2020年10月9日
第81回 応用物理学会 秋季学術講演会
更新情報2020年10月9日
GaNデバイス搭載のアナログ方式PFC評価ボード、Transphormが発売
更新情報2020年10月9日
SiC MOSFET搭載のモーター駆動評価ボード、Infineon発売
更新情報2020年10月9日
三菱電機が第2世代フルSiCモジュール、オン抵抗を15%低減
更新情報2020年10月9日
InfineonがSiCを200mm基板で25年量産へ ついにIGBTに並ぶ
更新情報2020年10月9日
車載アナログパワーICで東芝が新設計技術、職人技廃して体系化
更新情報2020年10月9日
オン抵抗が3.2 mΩと低い100 V耐圧GaN FET、EPCが発売
更新情報2020年10月9日
東芝が車載向けLDMOSの耐圧劣化メカニズムを解明、信頼性向上へ
更新情報2020年10月9日
オン抵抗が61 mΩと低い200 V耐圧MOSFET、Vishay発売
更新情報2020年10月8日
SiC Road Map
会員限定2020年10月2日
2020年度第2回企画委員会
更新情報2020年10月2日
委員会・WG議事録の簡易版
更新情報2020年9月23日
セミナー等開催情報
更新情報2020年9月18日
活動経過(除 WG会議)
更新情報2020年9月7日
太陽光発電用インバータ向けIGBTモジュール、三菱電機発売
更新情報2020年9月7日
オン抵抗が8 mΩと低い200 V耐圧GaN FET、EPC発売
更新情報2020年9月7日
オン抵抗が50 mΩと小さい900 V耐圧GaN FET、Transphorm発売
更新情報2020年9月7日
30年来の課題解決に道、SiC MOSFETのコストを数分の1へ 京大と東工大のグループが新たな酸化膜形成法
更新情報2020年9月7日
オン抵抗が1.7 mΩと低い -30 V耐圧MOSFET、Vishay発売
更新情報2020年9月7日
GaN on SiCで造るRFパワーアンプ、MACOMが65 Wの高出力品
更新情報2020年9月7日
体積が58 ccと小さいGaN採用ACアダプタ、GaN Systemsが開発
更新情報2020年9月7日
車載充電器向けフライバック電源IC、Power Integrationsが発売
更新情報2020年9月7日
SiC MOSFETの結晶欠陥問題を解決へ、東芝が新デバイス構造