更新情報
- 更新情報2020年5月11日
- オン抵抗を60％削減したDFN0606封止のMOSFET、ネクスペリアが発売
- 更新情報2020年5月11日
- トランスフォームが第4世代のGaN FETを発売、性能指数を10％改善
- 更新情報2020年5月11日
- オン抵抗を抑えた＋650V耐圧のSiCパワーMOSFET、クリーが発売
- 更新情報2020年5月11日
- 1.5mm×1.1mm×0.39mmと小さいゲート駆動IC、インフィニオンが発売
- 更新情報2020年5月11日
- トランスフォームとマイクロチップがGaNデバイス搭載のPFC評価ボード
- 更新情報2020年5月11日
- 「安全性マージンが広い」SiCダイオード、インフィニオンが2端子D2PAK品
- 更新情報2020年5月11日
- 東芝デバイス＆ストレージ、650V耐圧SJ型MOSFETの品ぞろえを拡充
- 更新情報2020年5月11日
- トヨタとホンダが続々採用、 新パワー素子は本命SiCへの“つなぎ”
- 更新情報2020年5月11日
- 最新プロセス採用でオン抵抗を40％削減した80V耐圧MOSFET、東芝が発売
- 更新情報2020年5月8日
- 学会・シンポジウム情報
- 更新情報2020年4月17日
- 高速スイッチング対応の900V／1200V耐圧SiC MOSFET、オンセミが発売
- 更新情報2020年4月17日
- 低オン抵抗のpチャネル型MOSFETをトレックスが2製品発売
- 更新情報2020年4月17日
- GaNトランジスタとゲートドライバーを集積したIC、EPCが発売
- 更新情報2020年4月17日
- 低電流化が図れるIGBT／MOSFET駆動向けフォトカプラー、東芝が発売
- 更新情報2020年4月17日
- 実装面積が18mm×7.5mmと小さいBLDCモーター駆動用IPM、A & Oが発売
- 更新情報2020年4月13日
- 委員会・WG議事録の簡易版
- 会員限定2020年4月13日
- 2019年度第6回企画委員会
- 更新情報2020年4月9日
- SiCアライアンス概要
- 会員限定2020年4月8日
- 第8回筑波大学パワーエレクトロニクス未来技術研究会の報告