更新情報
- 更新情報2020年10月9日
- ISPSD2020報告
- 更新情報2020年10月9日
- 第81回 応用物理学会 秋季学術講演会
- 更新情報2020年10月9日
- GaNデバイス搭載のアナログ方式PFC評価ボード、Transphormが発売
- 更新情報2020年10月9日
- SiC MOSFET搭載のモーター駆動評価ボード、Infineon発売
- 更新情報2020年10月9日
- 三菱電機が第2世代フルSiCモジュール、オン抵抗を15％低減
- 更新情報2020年10月9日
- InfineonがSiCを200mm基板で25年量産へ ついにIGBTに並ぶ
- 更新情報2020年10月9日
- 車載アナログパワーICで東芝が新設計技術、職人技廃して体系化
- 更新情報2020年10月9日
- オン抵抗が3.2 mΩと低い100 V耐圧GaN FET、EPCが発売
- 更新情報2020年10月9日
- 東芝が車載向けLDMOSの耐圧劣化メカニズムを解明、信頼性向上へ
- 更新情報2020年10月9日
- オン抵抗が61 mΩと低い200 V耐圧MOSFET、Vishay発売
- 更新情報2020年10月8日
- SiC Road Map
- 会員限定2020年10月2日
- 2020年度第2回企画委員会
- 更新情報2020年10月2日
- 委員会・WG議事録の簡易版
- 更新情報2020年9月23日
- セミナー等開催情報
- 更新情報2020年9月18日
- 活動経過（除 WG会議）
- 更新情報2020年9月7日
- 太陽光発電用インバータ向けIGBTモジュール、三菱電機発売
- 更新情報2020年9月7日
- オン抵抗が8 mΩと低い200 V耐圧GaN FET、EPC発売
- 更新情報2020年9月7日
- オン抵抗が50 mΩと小さい900 V耐圧GaN FET、Transphorm発売
- 更新情報2020年9月7日
- 30年来の課題解決に道、SiC MOSFETのコストを数分の1へ 京大と東工大のグループが新たな酸化膜形成法
- 更新情報2020年9月7日
- オン抵抗が1.7 mΩと低い -30 V耐圧MOSFET、Vishay発売
- 更新情報2020年9月7日
- GaN on SiCで造るRFパワーアンプ、MACOMが65 Wの高出力品
- 更新情報2020年9月7日
- 体積が58 ccと小さいGaN採用ACアダプタ、GaN Systemsが開発
- 更新情報2020年9月7日
- 車載充電器向けフライバック電源IC、Power Integrationsが発売
- 更新情報2020年9月7日
- SiC MOSFETの結晶欠陥問題を解決へ、東芝が新デバイス構造