MESFETとはMEtal Semiconductor Field Effect Transistorの大文字部分を繋げた略称。
　金属と半導体の接触からなるゲート電極（ショットキー接合）がソース電極とドレイン電極の間で同一平面上に配置されたFET。

　ドレイン電極からソース電極へ流れる電流はゲート電極直下の空乏層で制御される。 PN接合が不要で素子構造、プロセスがシンプルであり、微細化が容易であるためマイクロ波増幅などの高周波用途に適する。 SiC-MESFETの基板には高周波特性を劣化させる寄生容量を低減するために半絶縁性基板が用いられる。