REduced SURface Fieldの略であり横型FETの高耐圧化技術である。ラテラルDMOSFET（LDMOSFET）では空乏層はpウェルとn型ドリフト層の接合から横方向に伸張し、電界分布は接合を頂点とした三角形をなすのに対し、n型ドリフト層がp型層上に形成されていることで、空乏層が上下にも伸張するため電界分布が均一化され電界集中が緩和される。よって同じソース・ドレイン間隔を有するLDMOSFETと比較して高耐圧にでき、RESURF層を高濃度化すれば同じ耐圧でもオン抵抗が低減できる。RESURF層内でドレイン方向に濃度勾配をつけることにより、電界集中を更に緩和できオン抵抗と耐圧のトレードオフが向上する。