デルタ関数的な、ドーピングプロファイルを有する層状構造薄膜。SiCにおいては、高温下においても不純物の拡散が殆どないため、このデルタドープ層が安定で、一度作ってしまうとデルタドープ構造が崩れることはない。例えば2nmの厚みで、ドーピング濃度が2桁以上も変化するデルタドープ層が形成可能であることが確認されている。例えばIII-V族の半導体デバイスにおいては、FETのチャンネルに使われている。