SiやSiCの表面熱酸化反応は、酸化温度と酸素圧力に応じてアクティヴ酸化もしくはパッシブ酸化に帰する。傾向として、高い酸化温度と低い酸素圧ではアクティブ酸化になりやすく、パッシブ酸化はその逆の条件で起こり易いが、一般的な酸化条件では大概パッシブ酸化を示す。パッシブ酸化では、酸化界面で基板表面のSi原子が酸素と反応し、二酸化ケイ素を生成するモードが支配的なのに対し、アクティブ酸化では酸化中に酸化界面からSi原子（Si-O分子と言われている）が放出され、それらが酸化膜表面に到達し、二酸化ケイ素を生成するもしくは気相中に蒸発するモードが支配的となる。