イオン注入法により導入されたドーパントは活性化アニール処理により電気的に活性化される。特に、SiCの場合は1600℃～1800℃という超高温処理が必須である事が特徴であると共に、大きな欠点でもある。超高温処理による表面元素の脱離を防ぐために、SiH₄雰囲気中でのアニールやグラファイトキャップを用いる手法が実用化していると共に、レーザアニールによる活性化も試みられているが実用化には至っていない。現状では、高周波誘導加熱や赤外線ランプ加熱、電子衝撃加熱等、いくつかの手法を用いた活性化アニール装置が実用化されている。

参考文献
荒井、吉田共著: 「SiC素子の基礎と応用」p.99、オーム社刊