縦型MOSFETの構造で、Implanted & Epitaxial MOSFETの略である。 pウェルの製法がDIMOSFETと異なり、pウェル底部となる高濃度のp型領域をイオン注入によって選択的に形成した後、表面に低濃度のp型エピタキシャル膜を成長し、pウェル底部の欠如部上をp型エピ膜からn型へ打ち返し、pウェルを形作る。pウェルの表面部と底部を独立して形成するため、底部を高濃度化してパンチスルーによる耐圧劣化を抑制でき、これと共に表面部を結晶品質に優れたエピタキシャル膜の低濃度層として高い酸化膜信頼性と高いチャネル移動度を得ることができる。また、pウェル間のJFET領域をイオン注入でn型化するため、JFET領域とドリフト層を同じn型エピ膜内に作りこむDIMOSFETとは異なり、それぞれの濃度が同一でなく独立して調整できるため、酸化膜電界とオン抵抗のトレードオフに対して最適化の自由度が増しセルピッチの縮小によるオン抵抗低減が可能となる。