界面準位が高周波信号に応答しない高周波C-V特性（界面準位容量を含まない）と、界面準位が低周波信号に応答する低周波（準静的）C-V特性（界面準位容量を含む）を組み合わせた方法である。実験値を用いて界面準位の容量を求めることができるため、精度よく界面準位密度を求めることができる。正確に界面準位密度を求める前提として、高周波および低周波C-V特性が正しく測定されている必要がある。また、同一バイアスにおける表面ポテンシャルが同じである必要があり、酸化膜への電子注入が発生する場合には注意が必要である。SiCのMOS界面準位密度評価でよく用いられているが、1MHzでも応答する速い準位の存在が示唆され、そのような界面準位は従来のHi-Lo C-V法では評価できないことに注意が必要である。そこで、最近では100MHzと非常に高い周波数を用いたHi-Lo C-V法やC-V-ψs法が提案されている。