化学機械研磨 (CMP; Chemical Mechanical Polishing)は、何らかの化学的作用を伴う機械研磨（物理研磨）の総称であり、一般には、被加工物表面を研磨パッドに押し付け、両者間にスラリー（砥粒と薬液の混合物）を供給しながら相対運動させることで、物理的・化学的作用によって被加工物表面を平坦化・平滑化するものである。もともとは、半導体基板表面の高精度研磨法であったが、シリコンデバイスの微細化・高集積化に伴い、多層配線のための層間絶縁膜表面の平坦化や、銅配線作製のためのダマシン法（層間絶縁膜上に溝を形成して銅メッキを行い、溝外の銅を除去することで溝内のみに銅を残す）等にも用いられるようなった（これらの用途の場合、Chemical Mechanical Planarizationとも表現する）。SiCに関しては、機械研磨によって導入された加工変質層の除去および表面の平滑化のために、基板の最終研磨法として用いられている。

参考文献
土肥俊郎 編著：詳説 半導体CMP技術, 工業調査会
Materials Science Forum 556-557 (2007) pp. 753-756.
電子材料 2010年 09月号, pp. 30-34.