イオン注入法は、結晶中の不純物拡散係数が極めて低いSiCにおいて局所的伝導度制御を行うための唯一の手段と言っても良い。n型ドーパントとして窒素やリン、p型ドーパントとしてアルミニウムやボロンが用いられる。特に高ドーズ注入が必要な場合、残留欠陥発生を防ぐために基板温度を高温(200℃～800℃)にした状態でイオン注入されるのが一般的である。イオン注入後のドーパントの活性化には1600℃～1800℃という超高温での活性化アニール処理が必須である。低抵抗p型層形成や残留欠陥低減など、依然として課題は残っている。

参考文献
荒井、吉田共著: 「SiC素子の基礎と応用」p.99、オーム社刊