SiC結晶成長において、c軸に垂直方向となるa軸方向の成長を繰り返すことにより、結晶内部の欠陥の形態を基底面内の欠陥に変換して基底面内に閉じ込め、その後に行うc軸成長において結晶外部に掃きだすことで大幅に結晶内の転位を低減する手法である。a軸方向の成長を繰り返した結晶を種結晶とすることで、その後に実施するc軸成長は昇華法に限らず溶液法であってもガス法であっても同様の転位低減効果が期待できる高品質化技術である。

参考文献
松波弘之他 編著：半導体SiC技術と応用 第2版、日刊工業新聞社
D.Nakamura, I.Gunjishima, S.Yamaguchi, T.Ito, A.Okamoto, H.Kondo, S.Onda and K.Takatori, Nature, 430, 1009 (2004)