SiCに関する技術情報

高耐熱ナノテクレジン


パワー半導体モジュールでは、半導体素子の絶縁性を確保するため表面を樹脂で封止している。現在、Si半導体モジュールに使用されている封止用樹脂の耐熱温度は200℃程度である。SiCのような高温動作が可能なワイドバンドギャップ半導体においては、封止用樹脂には高絶縁性の他に高耐熱性も要求される。(株)ADEKAと関西電力(株)はゲル状の高耐熱樹脂ナノテクレジン「KA-100」を共同開発した。ナノテクレジンは200℃を越える高温下でも高い絶縁性と柔軟性を兼ね備えたポリシロキサンを主成分とする熱硬化性樹脂である。