SiC 単結晶に対する有効な評価手法の一つで、励起光を照射した際に生じる発光を検出・分光することで、SiC 単結晶のバンド構造や、SiC 単結晶内に含まれる不純物、結晶欠陥に固有なスペクトルが得られる。また、ある特定のスペクトルに対して発光強度のマッピング測定をすることで、不純物や結晶欠陥のウェハ面内分布を評価することができる。さらに、励起光にパルスレーザーを用いて、バンド端発光の時間減衰特性を測定することで、キャリアライフタイムを評価することができる。

参考文献
R.P. Devaty and W.J. Choyke: Phys. Stat. Sol. (a) 162, 5, 1997.