SiC 素子の活性領域となる単結晶層を形成する方法として、CVD (Chemical Vapor Deposition) エピタキシャル成長が最も広く用いられている。VPE (Vapor Phase Epitaxy) とも呼ばれる。4H-SiC の CVDエピタキシャル成長は、典型的には1500-1700℃ の温度で、数度のオフ角を有する 4H-SiC 単結晶基板に対して行われる。キャリアガスとして H₂、 Si 原料として SiH₄、 C 原料として C₃H₈ もしくは C₂H₂、 ドーパントとして N₂ (n 型)、 (CH₃)₃Al (p 型) が従来用いられてきたが、成長速度の向上を目的に HCl を添加したり SiH₂Cl₂、SiHCl₃、SiCl₄、CH₃SiCl₃ などの Cl を含む原料ガスを用いたりすることもある。4H-SiC CVD エピタキシャル成長装置としては、基板やガスの加熱の点で有利なホットウォール式のものが主流となっている。

参考文献
T. Kimoto et al.: Phys. Stat. Sol. (a) 202, 247, 1997.
O. Kordina et al.: Phys. Stat. Sol. (a) 202, 321, 1997.