SiCやGaNなどのワイドギャップ半導体では可視光に対して透明であり光は試料内部深くまで侵入する。そのためPLやラマン散乱といった分光評価法では試料内部からの信号強度が強く、表面近傍のみの情報を得ることは困難であった。ワイドバンドギャップ半導体に対してでも光学侵入長が非常に短い極紫外（DUV:Deep Ultra Violet）光を励起光とした場合には、nmオーダーの表面層の分析が可能になる。産総研の極紫外ラマン装置は、488nmのアルゴンレーザー連続光の2逓倍波（244nm）を光源として使用しており、焦点距離1.5mのシングルモノクロメータを主分散分光器に用いている。これまで極紫外ラマン装置を用い、イオン注入層の欠陥・歪評価や研磨工程の加工ダメージ評価を実施している。また、極紫外ラマンでのみ観測されるSiCラマン相対強度の面極性依存性をもとに、SiCのC面、Si面の判定が非破壊で行える。