SiCは[0001]方向への積層構造が結晶構造を決定するため、積層順序の狂いにより容易に多形が発生する。ホモエピタキシャル成長においてはjust基板を使用すると基板表面での[0001]方向の積層情報が乏しいため容易に多形が混入する。また、多形の混入がなくとも3次元成長により成長表面が凸凹になってしまう。ステップ制御エピタキシーは基板の面方位を{0001}面から数度傾けることによって基板表面にステップ構造を故意に形成したいわゆるオフ基板を使用する。ステップには[0001]方向の積層情報が現れているため、基板表面にステップ構造を形成させることにより積層情報を引き継ぐことができ、基板と同じ結晶構造を持つエピタキシャル膜を安定して成長することができる。また、成長モードが3次元成長では無く、ステップフロー成長になるため成長表面が平坦化する。