高純度のガス原料を用いて高温化（2000℃以上）の減圧気相成長によりSiC結晶を成長させる手法。成分組成を安定的かつ柔軟に制御可能で、昇華法が粉末原料を坩堝内に封じ込めて成長させるのに対して、ガス原料を連続供給可能なため長尺成長による収量増が期待できる。

参考文献
松波弘之他 編著：半導体SiC技術と応用 第2版、 日刊工業新聞社