基底面転位とは文字通りSiC単結晶の基底面である(0001)面(=c面)に存在する転位のことである。広義の基底面転位には、バーガースベクトルb=<11-20>/3の完全転位、bに c成分を含むフランク欠陥の部分転位や、積層欠陥と完全結晶の境界に存在する部分転位など様々な種類がある。しかし単に基底面転位と呼んだ時はb=<11-20>/3の転位を指すことがほとんどである。b=<11-20>/3の基底面転位はバイポーラデバイスで順方向に電流を流すとショックレイ型の積層欠陥を形成しながら拡張し、デバイスの順方向特性が劣化する。したがって、この基底面転位をバーガースベクトルが同じで、デバイスに与える悪影響の小さい貫通刃状転位へと変換する技術は非常に重要であり、精力的に研究がおこなわれている。