SiCに関する技術情報
材料分野
- エピタキシャル成長の低オフ角度化
- オフ基板・オフ角
- ガス法（高温CVD法、HTCVD ）
- 貫通刃状転位(TED : threading edge dislocation)
- 貫通らせん転位(TSD : threading screw dislocation)
- 基底面転位(BPD : basal plane dislocation)
- 極紫外ラマン分光
- 結晶欠陥
- 結晶多形（ポリタイプ）
- 高耐熱ナノテクレジン
- サイトコンペティション効果
- 酸化膜界面あるいは酸化膜中の炭素
- 昇華再結晶法（改良レーリー法）
- 触媒定盤
- ショックレー型積層欠陥
- ステップ制御エピタキシー
- ステップ-テラス構造
- 絶縁破壊電界強度のドーピング密度依存性
- ドナー―アクセプター対発光
- トワイマン効果
- フォトルミネッセンス測定
- CVD エピタキシャル成長
- FCCS法
- PLマッピング・イメージング測定
- RAF法（Repeated a-face）
- 2017年8月10日
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