SiCアライアンスの紹介

昭和電工株式会社

会社紹介

【HPアドレス】　http://www.sdk.co.jp/
昭和電工は、1970年代初頭よりGaPを始めとした化合物半導体材料の研究開発に取り組み、1980年の事業開始後、LEDを中心としたオプト系材料での市場展開に取り組んでいる。
　パワー半導体用SiCエピタキシャルウェハについては、2005年9月より実施した独立行政法人産業技術総合研究所及び財団法人電力中央研究所との高品質エピウェハの量産技術に関わる共同研究成果を、同時期に設立された有限責任事業組合エシキャット・ジャパンの法人組合員として、量産・販売に取り組んだ後、2008年12月に同組合より事業を継承し、本格的な事業化と品質向上、製品ラインアップの拡充に取り組んでいる。
　昭和電工でのSiCエピウェハの開発においては、量産への展開を前提とし、大口径ウェハの多数枚同時成長可能なエピタキシャル装置を使用し、その装置運転技術を高度化するとともに、ウェハ研磨加工技術とのマッチングにより高品質化を実現することに取り組んでおり、現在、以下の特徴を有するエピウェハを生産、販売している。

昭和電工製SiCエピウェハ製品の特徴

(1)　高均一性（膜厚、キャリア濃度）
(2)　界面転位制御
(3)　ステップバンチングフリー表面（Si面4度オフ基板使用）
(4)　エピ欠陥制御（ダウンフォール他）
(5)　カーボン面エピ（キャリア濃度均一性制御）

今後については、更なる欠陥低減と特性均一性の向上を目指した開発と共に、生産プロセスの安定性 向上への取り組みを継続していく。

 

SiCアライアンスへの参加の趣旨・期待

　昭和電工においては、低炭素社会を実現する省エネデバイス用材料として期待されているパワー半導体SiCを次世代大型事業とすべく、研究開発と事業化に重点的に取り組んでいる。
　SiCアライアンスにおいては、パワー半導体SiCの産業発展に向けて、会員各社と協力し、業界を盛り上げて行きたい。