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国内外のニュース/情報

電子デバイス界面テクノロジー研究会情報

筑波大学まとめ

静岡県三島市にて、2019年1月25日~26日。参加者108名。
半導体デバイスの界面物理について幅広く議論する研究会であるが、近年ワイドギャップ半導体界面に関する報告が増えている。

3-1「GaN MOSFETの絶縁ゲート技術」(基調講演)

橋詰 保 (北大)
北海道大学、橋詰教授による基調講演。北大が取り組んでいるGaN上の絶縁膜制御について、最新の結果を紹介。

4-3「SiC/SiO2界面でのキャリヤートラップの正体:積層変調による伝導帯下端のゆらぎと炭素関連欠陥の同定」

松下 雄一郎 (東工大), 押山 淳 (名大)
押山先生が登壇。SiC特有のNFE現象について、これまでの知見について概説したのち、SiCの積層順序のわずかなズレにより伝導帯下端がゆらぐことを指摘。

P-28「温度可変ホール効果測定による4H-SiC(0001) MOSFETチャネル内電子伝導機構の考察」

武田 紘典 (阪大), 染谷 満 (産総研), 細井 卓治, 志村 考功 (阪大), 矢野 裕司 (筑波大), 渡部 平司 (阪大)
SiC-MOSFETのチャネル内における可動電子率を定量し、NO窒化プロセスで電子移動度が改善される理由を考察することによって、電子伝導の温度特性を理解するモデルを提案。