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ECSCRM2018情報

筑波大学まとめ

Birminghamにて、2018年9月2日~6日

一般参加者 378名 学生参加者 98名 展示者など含めて合計660名

  • MOSプロセス関連;簡便な窒化プロセス(N2アニール:TU.01a.01)や界面に異種原子導入しないプロセス(Arアニール:TU.01a.05、低温熱酸化:WE.03a.03)
  • 結晶成長関連;50umトレンチ埋め込みエピ(MO.02.03)
  • 高耐圧デバイス関連;スイッチング特性を改善した6.5kV IBGT(WE.02.01→Best Paper Award)、15kV n-GTO(WE.02a.03)、27.5kV PiN diode(WE.02a.04)