• 参加申し込みは、参加申込書（Excel）（新しいウインドウで開きます）をダウンロードの上、全項目を記入頂き、office@sicalliance.jpまで送付ください。（期限：2020年2月7日）
• SiCアライアンス会員の方は、参加料が無料になります。

第8回筑波大学パワーエレクトロニクス未来技術研究会
UTOP -University of Tsukuba Forum on Power　Electronics Tomorrow

テーマ「SiCパワーデバイス適用上の課題とその対策」

日時

2020年2月21日(金) 13:15～17:05

場所

筑波大学　東京キャンパス文京校舎1階134講義室
東京都文京区大塚3-29-1 (東京メトロ丸ノ内線茗荷谷駅下車徒歩5分程度)

費用

参加費1,000円(資料代を含む・学生は無料)

プログラム

座長:筑波大学　数理物質科学研究科　パワーエレクトロニクス研究室　准教授　磯部　高範

13:15～13:20

ご挨拶

SiCアライアンス会長　京都大学　名誉教授　松波　弘之

13:20～13:30

筑波大学パワーエレクトロニクス研究室の近況ご紹介

筑波大学　数理物質科学研究科　パワーエレクトロニクス研究室　教授　岩室　憲幸

13:30～13:55　【講演】2019年度筑波大学パワエレ研発表-1

「SBD内蔵SiCトレンチMOSFET(SWITCH-MOS)の負荷短絡耐量特性の解析」

筑波大学　数理物質科学研究科　パワーエレクトロニクス研究室　修士2年　大川　雅貴

13:55～14:20　【講演】2019年度筑波大学パワエレ研発表-2

「負荷短絡耐量の無いデバイスを使用可能にするZソースインバータ」

筑波大学　数理物質科学研究科　パワーエレクトロニクス研究室　修士2年　高嶋　薫

14:20～15:10　【講演】

「SiCパワーデバイスのモジュール化による高速スイッチング動作と放熱」

大阪大学大学院　電気電子情報工学専攻　教授　舟木　剛

15:10～15:25

休憩

座長:筑波大学数　理物質科学研究科　パワーエレクトロニクス研究室　准教授　矢野　裕司

15:25～16:15　【講演】

「SiCデバイス応用機器の開発動向と今後の課題・期待」

三菱電機株式会社　先端技術総合研究所　パワーエレクトロニクス技術部門　主管技師長　大井　健史

16:15～17:05　【講演】

「Si-IGBTをSiCで置き換える際の課題パワーサイクル、信頼性、振動、そして製品付加価値」

株式会社日立パワーデバイス　ビジネスマネージメント本部　主管技師長　齊藤　克明

17:30～19:30

意見交換会(林野会館)　※新型コロナウィルス感染防止の観点から、中止と致しました。

参加登録

参加申し込みは、参加申込書（Excel）（新しいウインドウで開きます）をダウンロードの上、全項目を記入頂き、office@sicalliance.jpまで送付ください。

参加申込期限

2020年2月7日

主催

筑波大学　数理物質系

共催

一般社団法人SiCアライアンス

後援

パワーエレクトロニクス学会

協賛

TPEC