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国内外のニュース/情報

学会・シンポジウム情報

SiC・GaN半導体等に関連する国内外の学会・シンポジウム

  • ICSCRM 2019 チュートリアルセッション

「半導体SiC国際会議ICSCRM 2019オープニングイベント 
  The Tutorial Session, "SiC-MOSFETs; Features and Applications”」

開催日  :2019年9月29日(日)
場所   :京都国際会館 Room A(京都市・左京区)
問合せ  :チュートリアルコミッティー 奥田 貴史(京都大学)
      075-753-2243,t-okuda@dove.kuee.kyoto-u.ac.jp
申込み  :http://annex.jsap.or.jp/adps/
      (ICSCRM 2019本会議に出席しない方々も参加可能)
プログラム:

  1. Device Design and Characteristics of SiC MOSFETs
    Prof. Noriyuki Iwamuro (University of Tsukuba)
  2. SiC Power Device Reliability Considerations
    Prof. Philip Mawby (University of Warwick)
  3. Packaging and Modules with SiC MOSFETs and Related Reliability Aspects
    Prof. Josef Lutz (Chemnitz University of Technology)
  4. Driving Methods for SiC Devices at High-Frequencies
    Prof. Juan Rivas-Davila (Stanford University)
  5. Multi-Level Inverter Topologies for Full Exploitation of SiC MOS Characteristics
    Prof. Alberto Castellazzi (University of Nottingham)
  6. SiC MOSFETs at Industrial Applications - Addressing Challenges and Reaping Benefits
    Dr. Samuel Araujo (Robert Bosch GmbH)

その他  :テーブルトップ展示会併催(申し込みは上のリンクから)

詳細は https://annex.jsap.or.jp/adps/pdf/ICSCRM2019_Tutorial.pdf をご覧ください。

*世界のトップリサーチャによる講義(英語)です。

 

開催日:2019/9/29(日)~10/4(金)
会場:国立京都国際会館
事前参加登録:9/8まで(早期割引は7/31まで)
講演申込:5/13まで(Late Newsは7/17から8/16まで)
展示申込:6/30まで(予定小間数を超え次第、申込受付を終了します)
協賛申込:8/16まで(展示小間場所選択権の特典は6/30受付分まで)

 

  • 第13回研究会「逆導通対応パワー半導体デバイス・応用の最新技術」

https://annex.jsap.or.jp/adps/pdf/kenkyuukai13.pdf

日時:2019年2月27日(水) 13:30 ~ 17:00
場所:梅田スカイビル36階 スペース36L
   〒531-6023 大阪市北区大淀中1 丁目1 番88 号

【プログラム】

  1. 開会のあいさつ
  2. Si-SJMOS 開発動向
    齋藤 渉 (東芝デバイス&ストレージ株式会社)
  3. RC-IGBT の開発動向
    小野沢 勇一 (富士電機株式会社)
  4. 還流ダイオード機能を有するSiC パワーMOSFET(DioMOS)
    大岡 篤志 (パナソニック株式会社)
  5. ボディーダイオードの不活性化を実現するSBD 内蔵MOSFET
    日野 史郎 (三菱電機株式会社)
  6. SiC-MOSFET 内蔵ダイオードの通電劣化に関する課題と対策
    土田 秀一 (電力中央研究所)
  7. パワーデバイスのボディーダイオード課題に対する回路技術
    只野 博 (筑波大学)
  8. 閉会のあいさつ

参加登録:下記WEB 参加受付システムから参加登録をお願いします。
     https://annex.jsap.or.jp/limesurvey/index.php/986997/lang-ja
     2 月18 日(月)の登録状況でテキスト印刷部数を決定しますので、
     以後の登録ではテキストを当日お渡しできない可能性があります。

参加費:(テキスト代・消費税込)当日会場にてお支払いください。
    先進パワー半導体分科会会員* 2,000 円、分科会学生会員 1,000 円、
    一般 4,000 円、一般学生 1,000 円
    *先進パワー半導体分科会賛助会員所属の方は先進パワー半導体分科会会員扱いとします。

問合せ先:五十嵐 周(応用物理学会事務局)
     TEL: 03-3828-7723
     e-mail: igarashi@jsap.or.jp

 

  • 第6回グリーンイノベーションシンポジウム
    「コネクテッドカー:近未来の新しいモビリティーシステムとエレクトロニクス」

https://rcgi.nel.ele.shibaura-it.ac.jp/notice/new/201812/6thsymposium/
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開催日:2019年2月28日(木)13:00~17:40
          受付・ポスター展示は 12:00~
          (18:00より懇親会)
主 催:芝浦工業大学グリーンイノベーション研究センター
会 場:芝浦工業大学豊洲キャンパス交流棟6階大講義室
会 費:無料
申込み:http://rcgi.nel.ele.shibaura-it.ac.jp/symposium/entry-6thsympo/
締 切:2019年2月22日(金)
定 員:200名(定員になり次第締切らせていただきます)
問合せ:仁神(i036791@shibaura-it.ac.jp)まで

【プログラム(予定)】

  1. 「ボッシュの自動運転への取組み」(仮)ボッシュ株式会社 千葉 久氏
  2. 「パワーエレクトロニクス用コンデンサの最新技術とその適用について」 株式会社 村田製作所 西山 茂紀氏
  3. 「トヨタ自動車の電動化への取り組みと新モビリティへの対応」 トヨタ自動車(株) 戸田 敬二氏
  4. 「車載向けSoCの開発と自動車向けの技術戦略」(仮)ルネサスエレクトロニクス 原 博隆氏
  5. 「コネクテッドカーのための通信技術(5G)について 大手携帯電話会社調整中


*プログラムは一部調整中ですので変更になる場合があります。

 

  • JSAP/JIEP協業 特別シンポジウム開催

「急加速するクルマの電動化 ~電池・パワー半導体・モータとシステムの協調開発~」
【開催日時】2019年3月9日(土);13時~17時半
【開催場所】東京工業大学70周年記念講堂(70A会場)@大岡山
https://www.titech.ac.jp/maps/

詳細、最新情報は応用物理学会の以下のサイトで公開されています。
https://meeting.jsap.or.jp/jsapm/wp-content/uploads/2018/12/SP4.pdf

本講演会に関する問い合わせ先:   
応用物理学会 講演会担当
Email: meeting@jsap.or.jp
TEL: 03-3828-7724

 

  • 第6回GPICシンポジウムの開催案内

GPIC研究会は、今後増々グローバルな社会問題となっていく環境・エネルギーの分野において、「グリーンパワー分野(創エネ、省エネ、蓄エネ)の研究開発の成果をいかにこの社会問題の解決に貢献させるか」の共通の問題意識を有する
者が議論し合う場として2012年9月に設立された任意団体です。本研究会のミッションは、技術で勝ってビジネスでも勝つ、ということをグリーンパワーの世界で実現することです。

今般、下記の日時、場所で、第6回GPICシンポジウムを開催いたします。

■日時:11月28日(水)14;00~17:30
■場所:ダイキン工業株式会社 東京支社(JR品川イーストビル)10階会議室
会場への行き方につきましては、下記ウェブサイトにアップされていますシンポジウムのプログラムのファイルをご覧ください。 
http://www.greenpoweric.org/
参加費 無料、参加予定人数100名(先着順)

※懇親会 18:00~20:00
土間 品川イーストワンタワー店(JR品川駅東口(港南口)徒歩2分)
参加費 4,000円(税込)、参加人数50名(先着順)

今回のシンポジウムの開催趣旨は、プラットフォーム戦略に焦点を当て、プラットフォーム戦略を構成するマーケット戦略や知財戦略について専門家の意見を伺うとともに、実務としてプラットフォーム戦略に取り組んでいる企業の活動を紹介することで、「技術で勝って、ビジネスでも勝つ」ために有用なプラットフォーム戦略について参加者の皆様に有益な情報を提供する機会を創設することです。
シンポジウム終了後の懇親会も含め、講演していただく下記の方々とともに、参加者の皆様の間での意見交換、ネットワーキングの場として活用していだだければと思います。

【基調講演1】
「エレクトロニクス市場におけるプラットフォームとマーケッティング戦略」
IHSマークイットジャパン合同会社 日本調査部ディレクター
                          南川 明 氏
【基調講演2】
「GAFAに学ぶプラットフォーム構築のための知財戦略」
新エネルギー・産業技術総合開発機構 IoT推進部 統括主幹
                          大嶋 洋一 氏(交渉中)

【基調講演3】
「グローバル空調ビジネスにおけるプラットフォーム戦略」
ダイキン工業株式会社 グローバル戦略本部 営業企画部 専任部長
                          中野 容道 氏
【基調講演4】
「電力及び環境価値取引におけるプラットフォーム戦略」
デジタルグリッド株式会社 代表取締役会長(CEO&CTO)
                          阿部 力也 氏

皆様方のご参加をお待ちしています。

お申し込みは下記のウェブサイトからできます。
GPIC研究会のウェブサイト  
http://www.greenpoweric.org/

もしくは、
第6回GPICシンポジウム申し込みサイト(直接)
https://www.semiconportal.com/r/33/

*講演概要等、以下PDFファイルをご参照下さい。
_6th_gpic_symposium_program.pdf__

 

  • 応用物理学会・先進パワー半導体分科会主催 第14回研究会

2019年5月20(月)13:00~21(火)17:00に 横浜文化情報センター6階 情文ホール、 ホワイエ、ラウンジにおいて、応用物理学会・先進パワー半導体分科会主催の第14回研究会(多数のパワエレ関連セミナー、講演、展示会併催)が開催されます。 詳細は以下のURLを ご参照ください。

http://annex.jsap.or.jp/adps/pdf/kenkyuukai14.pdf

 

  • JST研究成果展開事業 京都地域・愛知地域スーパークラスタープログラム
    「スーパークラスターシンポジウム2018 ー我が国におけるパワーエレクトロニクスの将来展望ー」開催のご案内

本プログラムの申し込み募集は終了しました。

国立研究開発法人科学技術振興機構(JST)では、「研究成果展開事業(スーパークラスタープログラム)」において京都地域および愛知地域による研究開発を推進してまいりました。
これら京都地域、愛知地域では、それぞれSiC、GaNの次世代パワー半導体を用いたパワーエレクトロニクス分野の研究開発を進めておりましたが、今年度でスーパークラスタープログラムが終了するため、その集大成としてスーパークラスターシンポジウム2018を開催いたします。
このシンポジウムではスーパークラスタープログラムでの取組や成果の報告に留まらず、産業界から見たSiC、GaN次世代パワー半導体を用いた我が国のパワーエレクトロニクス分野の将来展望や、次世代パワーエレクトロニクスの発展のためにJSTをはじめとする公的機関に求められるものは何か、今後の産学連携・産学官連携のあり方について議論を深めます。
次世代パワー半導体にご関心をお持ちの方々の参加をお待ちしております。

◎開催案内web:http://www.jst.go.jp/super-c/report/flyer.pdf(添付資料) 

■日 時:平成30年2月23日(金)13:00-17:20
■会 場:富士ソフトアキバプラザ5階(アキバホール、レセプションホール)(東京都千代田区神田練塀町3)
会場案内:https://www.fsi.co.jp/akibaplaza/map.html

■プログラム: (敬称略)
13:00~13:10
ご挨拶
13:10~13:40
基調講演1「Transformative Electronics が築く未来社会」  天野 浩 (名古屋大学 教授)
13:40~14:10
基調講演2「豊かな省エネ社会に向けた次世代パワーエレクトロニクスの取り組みと展望 
ーSIP「次世代パワーエレクトロニクス」の取組を中心にー 」  
大森 達夫 (内閣府 SIP次世代パワーエレクトロニクス担当プログラムディレクター)
14:10~14:30
愛知地域からの活動実績と今後の展望
宮田 隆司 (愛知地域スーパークラスタープロイグラム代表研究統括)
14:30~14:50
京都地域からの活動実績と今後の展望
西本 清一 (京都地域スーパークラスタープロイグラム代表研究統括)
14:50~15:10
休憩 
15:10~17:10
パネルディスカッション 
「産業界から見た我が国の次世代パワーエレクトロニクスの将来展望、望まれる公的機関の支援や産学連携について」
ファシリテータ: 松波 弘之 (京都大学 名誉教授、科学技術振興機構 産学連携アドバイザー)
パネラー: 安部 静生  (トヨタ自動車(株) 常務理事)
      藤平 龍彦  (富士電機(株) 統括部長)
      中村 孝   (ローム(株) 主席研究員)
      福永 泰   (日本電産(株) 専務執行役員)
      今井 尊史  ((株)アイケイエス 代表取締役社長)
      古久保 雄二 (福島SiC応用技研(株) 代表取締役社長)

17:10~17:20
総評  村井 眞二 (スーパークラスタープログラム プログラムオフィサー)

■成果展示: 12:00-16:30、17:30-19:00(レセプションホール)

■参加費:無料 (交流会:17:30-19:00、参加費4000円)

■定員:180名(事前申込制・先着順)
■主催:国立研究開発法人科学技術振興機構
■共催:公益財団法人京都高度技術研究所、公益財団法人科学技術交流財団
■後援:文部科学省、京都府、愛知県、京都市、名古屋市
■申込方法:下記webサイトより
      https://form.jst.go.jp/enquetes/super-c

■申込締切:平成30年2月16日(金)
申込受付は終了いたしました。

<お問合せ先>
シンポジウム運営事務局(株式会社ディーワークス内)
〒111-0052 東京都台東区柳橋1-5-8 DKK柳橋ビル3F
TEL:03-5835-0388、E-mail:superc@d-wks.net

 

  • 【第5回グリーンイノベーションシンポジウム】の開催

    ~日の丸半導体ルネサンス -IoT・パワエレが切り拓く新時代-

    芝浦工業大学グリーンイノベーション研究センター主催
    芝浦工業大学パワーエレクトロニクス研究センター共催
    一般社団法人 SiCアライアンス 協賛

    開催日

    2018年2月23日(金)13時~17時40分

    会場

    芝浦工業大学豊洲キャンパス 交流棟6階大講義室

    会費

    無料

    (詳しくは、こちらをご覧ください)



  • 電気技術史研究会

    テーマ

    SiCパワーエレクトロニクス開発史および電気技術史一般

    開催日

    2018年1月29日

    場所

    東京 (電気学会会議室)

    (その他の詳細はプログラムをご参照下さい)

    プログラム

    https://workshop.iee.or.jp/sbtk/cgi-bin/sbtk-showprogram.cgi?workshopid=SBW00005120


  • 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回研究会
    http://annex.jsap.or.jp/adps/pdf/kenkyuukai10.pdf

    ◇ 日時:2018年1月30日(火)14:00~18:00
    ◇ 場所:大阪市中央公会堂 3F 小集会室、大阪市北区中之島1丁目1-27
      大阪市営地下鉄御堂筋線淀屋橋駅 1番出口より徒歩5分
        http://osaka-chuokokaido.jp/map/

    Si、SiC、GaNなどの先進パワー半導体デバイスは、アプリケーションが要求する使用条件、耐久性・信頼性、耐環境性などに応じ、適材適所での活用が期待される。
    そこでは、素子の構造と駆動方法の要素が重要である。
    例えば、各半導体デバイスの特長を活かす回路トポロジーや回路スペックの議論を通じて、最適なアプリケーションを検討することや、求められるデバイス性能、信頼性について議論し、駆動や保護制御などの視点を加え、ワイドギャップ半導体の活用のありかたを考えることは有意義である。
    本研究会では、幅広い応用分野からのご講演を通じ、其々のデバイスが目指すべき方向性を明らかにする。

    ◇ プログラム
    ・開会のあいさつ
    ・山本 真義 (名古屋大学)
     「先進パワー半導体に適したパワーエレクトロニクス回路技術」
    ・舟木 剛 (大阪大学)
     「電力制御に向けたパワーエレクトロニクス回路、デバイス」
    ・大村 一郎 (九州工業大学)
     「人工衛星に使用するパワーデバイスの宇宙線耐量」
    ・秋山 秀典 (融合技術開発センター)
     「パルスパワー電源開発に伴うパルスパワー応用の進展」
    ・大西 献 (三菱重工業)
     「原子力分野で求められる耐放射線デバイス」
    ・Harmel Defretin(Schlumberger)
     "Robust power electronics for underground resource exploration"
    ・閉会のあいさつ

    ◇ 参加登録
    WEB参加受付システムから参加登録をお願いします。
    https://annex.jsap.or.jp/limesurvey/index.php/582291/lang-ja
    1月20日の登録状況でテキスト印刷部数を決定しますので、以後の登録ではテキストを当日お渡しできない可能性があります。

    ◇ 参加費
      先進パワー半導体分科会員 2,000円
      先進パワー半導体分科会学生会員 1,000円
       一般 4,000円
      学生一般 1,000円

    ◇ 問い合わせ先
        多留谷 政良(三菱電機)        e-mail:Tarutani.Masayoshi@da.MitsubishiElectric.co.jp
        西脇 克彦(トヨタ自動車)      e-mail:katsuhiko_nishiwaki@mail.toyota.co.jp
        石田 昌宏(パナソニック)      e-mail:ishida.masahiro002@jp.panasonic.com
        田中 保宣(産業技術総合研究所)e-mail:yasunori-tanaka@aist.go.jp
        五十嵐 周(応用物理学会事務局)e-mail:divisions@jsap.or.jp

 

 

  • 【公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会】
    第3回個別討論会「GaN縦型パワーデバイスのドリフト層成長技術」 
    ◇ 日時: 2017年12月12日(火) 13:00~17:30
    ◇ 場所: 名古屋大学東山キャンパス NIC館1階 会議室(Idea Stoa)
    地下鉄 名古屋大学駅下車すぐ http://www.aip.nagoya-u.ac.jp/center/
    次世代パワーデバイスとしてGaN基板上GaN縦型パワーデバイスに注目が集まってい る。
    ドリフト層(耐圧維持層)のエピタキシャル成長技術は縦型パワーデバイスの根幹をなす。
    低ドープで転位や深い準位のない高品質の厚膜層が必要となるが、GaNの過去の発光デバイス、電子デバイス開発においてこのような要求はなく、新規技術の開発が必要となる。
    本討論会では、GaN縦型パワーデバイスのドリフト層成長に求められる要請を整理し、重要な課題である深い準位(点欠陥)についてこれまでの知見を整理する。
    それを踏まえてGaNエピ技術の主流であるMOVPE法の最新の状況、そして、 高速成長、炭素不純物フリー成長が期待されているHVPE法の新たな試みについて紹介頂き、関連技術やエピ評価、デバイス特性への影響などについて参加者から話題提供を頂いて活発な議論を行う。
    ・・・・・・・・・・・・・プログラム・・・・・・・・・・・・・・・
    13:00~13:20 GaN縦型パワーデバイスに求められるドリフト層成長技術
            須田 淳(名古屋大学)
    13:20~13:40 GaNで観測される各種点欠陥
            徳田 豊(愛知工業大学)
    13:40~14:00 GaNの低転位密度化・高純度化と主要な非輻射再結合中心
            秩父 重英(東北大学多元研/名古屋大学IMaSS)
    14:20~14:50 MOVPE法による低ドープGaNホモエピタキシャル成長技術
            成田 哲生(豊田中央研究所)
    14:50~15:20 HVPE法による高純度GaNホモエピタキシャル高速成長技術
            藤倉 序章(サイオクス)
    15:20~16:00 参加者からの話題提供 (数件)
    16:20~17:30 総合討論
    ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
    ■参加について: GaN縦型パワーデバイス実現のために必要な、低ドープ・厚膜ドリフト層のエピタキシャル成長技術、エピ評価、デバイス試作等の研究に関わっている方を主な対象として、全員参加で議論を行う討論会ですので情報収集のみの参加はお断りします。WEBから参加申し込みを行っていただく際に、議論できる内容や取り組んでいる研究の概要や提供可能な話題などについて記述いただきます。議論を密に行うため人数を最大50名程度とし、参加申し込みが多い場合は申し込み時の記述をもとに選定させていただきます。
    ■参加受付: WEB参加受付システムから参加登録をお願いします。
    https://annex.jsap.or.jp/limesurvey/index.php/745741/lang-ja
    締切日を11月20日(月)とします。
    ■参加費:(テキスト代・消費税込)当日会場にてお支払いください。
    先進パワー半導体分科会会員* 2,000円、分科会学生会員 1,000円、
    一般 4,000円、一般学生 1,000円
    *先進パワー半導体分科会賛助会員所属の方は分科会会員扱いとします。  
    問合せ先:
    須田 淳(名古屋大学)  e-mail: suda@nagoya-u.jp
    上野 勝典(富士電機)  e-mail: ueno-katsunori@fujielectric.com
    岡 徹(豊田合成)      e-mail: toru.oka@toyoda-gosei.co.jp
    岡山 昇平(応用物理学会事務局) e-mail: divisions@jsap.or.jp

 

  • 【JST研究成果展開事業 京都地域スーパークラスタープログラム クラスターフォーラム開催のご案内】
    京都府、京都市、(公財)京都高度技術研究所の共同提案による国立研究開発法人科学技術振興機構公募事業である研究成果展開事業「京都地域スーパークラスタープログラム」は、長野、福井、滋賀の3地域との広域連携のもと、平成25年12月に開始しました。本プログラムでは、先進パワー半導体として有望なSiCに注目し、SiCパワーデバイスの本格普及と社会実装を促進し、「クリーン・低環境負荷社会を実現する高効率エネルギー利用システムの構築」を目指してきました。
    このたび、事業期間である5年度間が終了することから、本プログラムの総括を行うとともに、今後に向けた議論を行うことを目的としたフォーラムを開催します。あわせて、この期間に誕生した成果についても展示を行います。SiCパワーデバイスを中心としたパワーエレクトロニクスに取り組まれている、またご関心のある方々ほか、産業界をはじめとする幅広い分野の方々の参加をお待ちしています。
    開催案内 https://kyoto.supercluster.jp/2017/09/26/clusterforum2017/
    ■日時:平成29年11月10日(金)13:00-17:15(開場:12:00)
    ■会場:ホテルグランヴィア京都 5階 古今の間(京都市下京区烏丸通塩小路下ル JR京都駅中央口)
    会場案内 http://www.granvia-kyoto.co.jp/access/
    ■プログラム:
    13:00~13:20 開会挨拶 (主催者挨拶、来賓挨拶)
    13:20~13:50 京都地域スーパークラスターの活動実績と今後の展墓
             西本 清一 氏(京都地域スーパークラスタープログラム代表研究統括/
            (地独)京都市産業技術研究所 理事長/(公財)京都高度技術研究所 理事長)
    13:50~14:15 「パワエレ応用回路設計」を基盤とする実装モジュール開発  舟木 剛 氏(大阪大学大学院 教授)
    14:15~14:40 次世代パワーデバイス開発と産産学連携による実装製品開発の推進 
             中村 孝 氏(ローム株式会社 研究開発部 主席研究員)
    14:40~14:55 次世代マイクロスマートグリッドシステムの開発と国際ビジネス展開
             今井 尊史 氏(株式会社アイケイエス 代表取締役社長)
    14:55~15:20 次世代パワーエレクトロニクスを活用したインテリジェントモータの開発
             福永 泰 氏(日本電産株式会社 専務執行役員)
    15:20~15:45 休憩・展示
    15:45~17:10 パネルディスカッション
    -産産学連携オープンイノベーションの「京都モデル」構築から「SiCパワエレ産業クラスター」形成へー
    モデレータ:西本 清一 氏(京都地域スーパークラスタープログラム代表研究統括)
    パネリスト:今井 尊史 氏(株式会社アイケイエス 代表取締役社長)
    (50音順)福永 泰 氏(日本電産株式会社 専務執行役員)
          舟木 剛 氏(大阪大学大学院 教授)
          松波 弘之 氏(京都大学 名誉教授/
          国立研究開発法人科学技術振興機構 産学連携アドバイザー)
    17:10~17:15 閉会挨拶
    17:15~19:00 交流会
    ■参加費:無料 (交流会参加者は3,000円)
    ■定員 :200名(事前申込制・先着順)
    ■主催 :京都府、京都市、公益財団法人京都高度技術研究所
    ■共催 :国立研究開発法人科学技術振興機構
    ■申込方法:
     https://kyoto.supercluster.jp/2017/09/26/clusterforum2017/
    ■申込締切:平成29年10月31日(定員になり次第、締め切り)
    <お問合せ先>
    公益財団法人京都高度技術研究所 スーパークラスター事業推進部
    TEL:075-366-5269 FAX:075-366-5341
    E-mail:sc_gr[at]astem.or.jp
    ※メールアドレスの[at]を半角@マークに代えて送信してください。

     

  • 【JST研究成果展開事業 京都地域スーパークラスタープログラム】
    「第2回 回路・システム研究開発グループ研究会ー高周波スイッチング回路技術開発とその応用ー」開催のご案内
    (公財)京都高度技術研究所は京都府、京都市とともに、国立研究開発法人科学技術振興機構(JST)の委託事業「研究成果展開事業(スーパークラスタープログラム)」に採択され、平成25年12月よりパワーエレクトロニクスの技術革新により新産業創出への貢献を目指す「クリーン・低環境負荷社会を実現する高効率エネルギー利用システムの構築」を実施しています。
    本プログラムの研究開発グループの一つ、「回路・システム研究開発グループ」では、(1)SiCパワーモジュール技術開発とその応用、(2)高周波スイッチング回路技術開発とその応用の2本柱のもと、大学を中心とする先行技術開発と産学連携による応用開発を組み合わせて、SiCを中心とした次世代パワーエレクトロニクス技術の開発に取り組んでいます。当グループでは本プログラム最終年度にあたり、2回に分けて研究開発の成果を発表し、SiCパワーデバイスの社会実装加速にむけて議論頂く機会を設けることとしました。この度、第2回として『高周波スイッチング回路技術開発とその応用』についての研究会を開催致します。
    SiC応用製品の研究開発、あるいはSiCパワーモジュール関連製品の研究開発にご関心をお持ちの幅広い分野の方々のご参加をお待ちしています。
    開催案内 https://kyoto.supercluster.jp/2017/09/20/groups/
    ■日時:平成29年11月8日(水)13:30-17:00(受付開始:13:00)
    ■会場:京都リサーチパーク西地区 4号館 2階 ルーム1(京都市下京区中堂寺粟田町93番地)
    会場案内 http://www.krp.co.jp/access/
    ■プログラム:
    13:30~13:35 開会挨拶
    13:35~14:20 「高周波スイッチング応用」
             引原 隆士 氏(京都大学大学院 教授)
             奥田 貴史 氏(京都大学大学院 助教)
    14:20~14:50 「高周波ゲートドライバの開発」
             小林 和淑 氏(京都工芸繊維大学 教授)
             古田 潤 氏(京都工芸繊維大学 助教)
    14:50~15:20 「デバイスモデル/回路解析」
             佐藤 高史 氏(京都大学大学院 教授)
             新谷 道広 氏(奈良先端科学技術大学院大学 助教)
    15:20~15:30 休憩
    15:30~16:00 「電力パケット化装置開発」
             高橋 亮 氏(愛知工科大学 准教授)
    16:00~16:30 「電力パケット配送プロトコルの設計と実装」
             岡部 寿男 氏(京都大学学術情報メディアセンター 教授)
             中野 博樹 氏(京都大学学術情報メディアセンター 博士課程)
    16:30~16:55 ディスカッション
    16:55~17:00 まとめ
             引原 隆士 氏(京都大学大学院 教授)
    ■参加費:無料
    ■定員 :100名(事前申込制・先着順)
    ■主催 :京都府、京都市、公益財団法人京都高度技術研究所
    ■後援 :国立研究開発法人科学技術振興機構
    ■申込方法:
     https://kyoto.supercluster.jp/2017/09/20/groups/
    ■申込締切:平成29年10月31日
    <お問合せ先>
    公益財団法人京都高度技術研究所 スーパークラスター事業推進部
    TEL:075-366-5269 FAX:075-366-5341
    E-mail:sc_gr[at]astem.or.jp
    ※メールアドレスの[at]を半角@マークに代えて送信してください。

     

  • 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回研究会
    「SiCパワーMOSFETに残された課題」
    ◇ 日時: 2017年9月4日(月) 13:00~17:00
    ◇ 場所: リファレンス駅東ビル 3F 会議室H-2、福岡市博多区博多駅東1丁目16-14
     http://www.re-rental.com/ekihigashi/access/
     SiCパワーMOSFETの実用開始から数年が経ち、トレンチ型の採用や大電流モジュール化が進み、更なる高耐圧化も検討されている。
    一方、ゲート電圧の範囲や、ボディダイオードのオン電圧や通電劣化など、Si-MOSFET、IGBTと比較して、使い方に注意が必要である。
    使いやすいSiCパワーMOSFETを実現するために、専門家の方々に現状について報告いただき、今後解決すべき課題及びその展望について討論する。
    開催案内チラシはこちら

     

  • 第1回 回路・システム研究開発グループ研究会ーSiCパワーモジュール技術開発とその応用ー
    JST研究成果展開事業 京都地域スーパークラスタープログラム「第1回 回路・システム研究開発グループ研究会ーSiCパワーモジュール技術開発とその応用ー」開催のご案内
    (公財)京都高度技術研究所は国立研究開発法人科学技術振興機構(JST)の委託事業「研究成果展開事業(スーパークラスタープログラム)」に採択され、平成25年12月よりパワーエレクトロニクスの技術革新により新産業創出への貢献を目指す「クリーン・低環境負荷社会を実現する高効率エネルギー利用システムの構築」を実施しています。
    本プログラムの研究開発グループの一つ、「回路・システム研究開発グループ」では、(1)SiCパワーモジュール技術開発とその応用、(2)高周波スイッチング回路技術開発とその応用の2本柱のもと、大学を中心とする先行技術開発と産学連携による応用開発を組み合わせて、SiCを中心とした次世代パワーエレクトロニクス技術の開発に取り組んでいます。
    当グループでは本プログラム最終年度にあたり、2回に分けて研究開発の成果を発表し、SiCパワーデバイスの社会実装加速にむけて議論頂く機会を設けることとしました。
    この度、第1回として『SiCパワーモジュール技術開発とその応用』についての研究会を開催致します。
    SiC応用製品の研究開発、あるいはSiCパワーモジュール関連製品の研究開発にご関心をお持ちの幅広い分野の方々のご参加をお待ちしています。
    開催案内 https://kyoto.supercluster.jp/2017/06/23/labo-info/
    開催案内チラシはこちら

     

  • 産産学連携SiCフォーラム
    JST研究成果展開事業 京都地域スーパークラスタープログラム「産産学連携SiCフォーラム」開催のご案内
    (公財)京都高度技術研究所は国立研究開発法人科学技術振興機構の委託事業「研究成果展開事業(スーパークラスタープログラム)」に採択され、平成25年12月よりパワーエレクトロニクスの技術革新により新産業創出への貢献を目指す「クリーン・低環境負荷社会を実現する高効率エネルギー利用システムの構築」を実施しています。
    本プログラムの研究開発グループの一つ、「産産学連携実装化推進研究開発グループ」では、次世代パワーエレクトロニクスの担い手であるSiCデバイス搭載による先進的高機能な製品開発を目指し、地域の特長ある製品開発型中小企業が参画、試作から製品化に至るまでの立ち上げを産産学連携により促進しています。
    この度、本プログラムの最終年度にあたり、その成果事例を紹介するフォーラムを開催いたします。
    SiCを採用した各種電源等の応用製品の研究開発、あるいは次世代パワーモジュール関連製品の研究開発及び商品化等にご関心をお持ちの幅広い分野の方々のご参加をお待ちしています。
    開催案内 https://kyoto.supercluster.jp/2017/06/26/forum/
    開催案内チラシはこちら

     

  • 応用物理学会先進パワー半導体分科会第3回講演会およびチュートリアル
    開催日:2016年11月7日(月)~9日(水) 
    開催場所:つくば国際会議場 
    詳細:第3回講演会ホームページ http://annex.jsap.or.jp/adps/scrm/

     

  • 「平成28年度京都地域スーパークラスタープログラム成果発表会
    ~パワーエレクトロニクス応用回路技術によるSiC搭載製品開発の新展開~」開催 
    日時: 平成28年10月31日(月) 13:30-17:05
    場所: 京都リサーチパーク(KRP) 4号館 (京都市下京区)
    主催: 京都高度技術研究所(ASTEM)、京都市、京都府
    概要:1.基調講演: 京大 引原隆士教授、阪大 舟木剛教授
    2.製品開発事例紹介発表: 企業5社
    3.展示ブース出展: 11社(予定)
    参加費: 無料
    開催案内・プログラムはこちら
    詳細および参加申し込みは下記URLの京都高度技術研究所(ASTEM)専用webをご覧ください。
    http://www.astem.or.jp/whatsnew/event/20160909-20106.html

     

  • 第4回GPICシンポジウム開催
    第4回GPICシンポジウムが2016年10月12日(水)14時~17時、東京大学山上会館 大会議室 にて開催されます。案内の閲覧と参加申し込みは、下記URLをご覧ください。
    詳細:第4回GPICシンポジウム
    参加申し込み:https://www.semiconductorportal.com/GPIC/

     

  • 応用物理学会先進パワー半導体分科会(旧SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会)第2回講演会
    開催日:2015年11月9日(月)~10日(火)
    開催場所:第4回GPICシンポジウム
    詳細:第2回講演会ホームページ http://annex.jsap.or.jp/adps/scrm/index.html

     

  • 第3回GPICシンポジウム開催
    第3回GPICシンポジウムが2015年9月28日(月)に開催されます。案内の閲覧と参加申し込みは、下記URLに接続下さい。
    第3回GPICシンポジウム案内:http://www.greenpoweric.org/3rd_gpic_sympo.pdf
    お申込み:https://www.semiconductorportal.com/GPIC/
    GPIC:Green Power Innovative Communicationの HPのURLは、
    http://www.greenpoweric.org/ です。

     

  • 6th ECPE SiC and GaN User Forum
    - Potential of Wide Bandgap Semiconductors in Power Electronic Applications

    主催:ECPE
    開催日:4月20日(月)~21日(火)
    開催場所: Coventry/Warwick, UK
    詳細:ECPE Workshop: ECPE SiC & GaN User Forum

     

  • 27th IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2015)
    開催日:5月10日(日)~14日(水)
    開催場所: Kowloon Shangri-La, Hong Kong
    詳細:ISPSD 2015

     

  • 2015 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology
    開催日:5月18日(月)~21日(木)
    開催場所: Hyatt Regency Scottsdale Resort & Spa at Gainey Ranch Scottsdale, Arizona, USA
    詳細:2015 CS ManTech

     

  • PCIM Europe 2015
    開催日:5月19日(火)~21日(木)
    開催場所: Nuremberg, Germany
    詳細:PCIM Europe 2015

     

  • Compound Semiconductor Week 2015 (ISCS2015)
    開催日:6月28日(日)~7月2日(木)
    開催場所: University of California, Santa Barbara, CA, USA
    詳細:2015 Compound Semiconductor Week

     

  • TIA連携大学院サマー・オープンフェスティバル2015「第四回TIAパワーエレクトロニクス・サマースクール」
    開催日:2015年8月28日(金)~31日(月)
    開催場所: 産業技術総合研究所 つくば西事業所 TIA連携棟
    詳細:TPECホームページ

     

  • 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015)
    主催:応用物理学会
    開催日:9月27日(日)~30日(水)
    開催場所: 札幌コンベンションセンター(札幌市)
    詳細:SSDMホームページ

【JST研究成果展開事業 京都地域スーパークラスタープログラム】
「第2回 回路・システム研究開発グループ研究会ー高周波スイッチング回路技術開発とその応用ー」開催のご案内
(公財)京都高度技術研究所は京都府、京都市とともに、国立研究開発法人科学技術振興機構(JST)の委託事業「研究成果展開事業(スーパークラスタープログラム)」に採択され、平成25年12月よりパワーエレクトロニクスの技術革新により新産業創出への貢献を目指す「クリーン・低環境負荷社会を実現する高効率エネルギー利用システムの構築」を実施しています。
本プログラムの研究開発グループの一つ、「回路・システム研究開発グループ」では、(1)SiCパワーモジュール技術開発とその応用、(2)高周波スイッチング回路技術開発とその応用の2本柱のもと、大学を中心とする先行技術開発と産学連携による応用開発を組み合わせて、SiCを中心とした次世代パワーエレクトロニクス技術の開発に取り組んでいます。当グループでは本プログラム最終年度にあたり、2回に分けて研究開発の成果を発表し、SiCパワーデバイスの社会実装加速にむけて議論頂く機会を設けることとしました。この度、第2回として『高周波スイッチング回路技術開発とその応用』についての研究会を開催致します。
SiC応用製品の研究開発、あるいはSiCパワーモジュール関連製品の研究開発にご関心をお持ちの幅広い分野の方々のご参加をお待ちしています。
開催案内 https://kyoto.supercluster.jp/2017/09/20/groups/
■日時:平成29年11月8日(水)13:30-17:00(受付開始:13:00)
■会場:京都リサーチパーク西地区 4号館 2階 ルーム1(京都市下京区中堂寺粟田町93番地)
会場案内 http://www.krp.co.jp/access/
■プログラム:
13:30~13:35 開会挨拶
13:35~14:20 「高周波スイッチング応用」
         引原 隆士 氏(京都大学大学院 教授)
         奥田 貴史 氏(京都大学大学院 助教)
14:20~14:50 「高周波ゲートドライバの開発」
         小林 和淑 氏(京都工芸繊維大学 教授)
         古田 潤 氏(京都工芸繊維大学 助教)
14:50~15:20 「デバイスモデル/回路解析」
         佐藤 高史 氏(京都大学大学院 教授)
         新谷 道広 氏(奈良先端科学技術大学院大学 助教)
15:20~15:30 休憩
15:30~16:00 「電力パケット化装置開発」
         高橋 亮 氏(愛知工科大学 准教授)
16:00~16:30 「電力パケット配送プロトコルの設計と実装」
         岡部 寿男 氏(京都大学学術情報メディアセンター 教授)
         中野 博樹 氏(京都大学学術情報メディアセンター 博士課程)
16:30~16:55 ディスカッション
16:55~17:00 まとめ
         引原 隆士 氏(京都大学大学院 教授)
■参加費:無料
■定員 :100名(事前申込制・先着順)
■主催 :京都府、京都市、公益財団法人京都高度技術研究所
■後援 :国立研究開発法人科学技術振興機構
■申込方法:
 https://kyoto.supercluster.jp/2017/09/20/groups/
■申込締切:平成29年10月31日
<お問合せ先>
公益財団法人京都高度技術研究所 スーパークラスター事業推進部
TEL:075-366-5269 FAX:075-366-5341
E-mail:sc_gr[at]astem.or.jp
※メールアドレスの[at]を半角@マークに代えて送信してください。

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