1. ホーム
  2. 国内外のニュース/情報>
  3. 学会・シンポジウム情報

国内外のニュース/情報

学会・シンポジウム情報

SiC・GaN半導体等に関連する国内外の学会・シンポジウム

  • 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回研究会
    http://annex.jsap.or.jp/adps/pdf/kenkyuukai10.pdf

    ◇ 日時:2018年1月30日(火)14:00~18:00
    ◇ 場所:大阪市中央公会堂 3F 小集会室、大阪市北区中之島1丁目1-27
      大阪市営地下鉄御堂筋線淀屋橋駅 1番出口より徒歩5分
        http://osaka-chuokokaido.jp/map/

    Si、SiC、GaNなどの先進パワー半導体デバイスは、アプリケーションが要求する使用条件、耐久性・信頼性、耐環境性などに応じ、適材適所での活用が期待される。
    そこでは、素子の構造と駆動方法の要素が重要である。
    例えば、各半導体デバイスの特長を活かす回路トポロジーや回路スペックの議論を通じて、最適なアプリケーションを検討することや、求められるデバイス性能、信頼性について議論し、駆動や保護制御などの視点を加え、ワイドギャップ半導体の活用のありかたを考えることは有意義である。
    本研究会では、幅広い応用分野からのご講演を通じ、其々のデバイスが目指すべき方向性を明らかにする。

    ◇ プログラム
    ・開会のあいさつ
    ・山本 真義 (名古屋大学)
     「先進パワー半導体に適したパワーエレクトロニクス回路技術」
    ・舟木 剛 (大阪大学)
     「電力制御に向けたパワーエレクトロニクス回路、デバイス」
    ・大村 一郎 (九州工業大学)
     「人工衛星に使用するパワーデバイスの宇宙線耐量」
    ・秋山 秀典 (融合技術開発センター)
     「パルスパワー電源開発に伴うパルスパワー応用の進展」
    ・大西 献 (三菱重工業)
     「原子力分野で求められる耐放射線デバイス」
    ・Harmel Defretin(Schlumberger)
     "Robust power electronics for underground resource exploration"
    ・閉会のあいさつ

    ◇ 参加登録
    WEB参加受付システムから参加登録をお願いします。
    https://annex.jsap.or.jp/limesurvey/index.php/582291/lang-ja
    1月20日の登録状況でテキスト印刷部数を決定しますので、以後の登録ではテキストを当日お渡しできない可能性があります。

    ◇ 参加費
      先進パワー半導体分科会員 2,000円
      先進パワー半導体分科会学生会員 1,000円
       一般 4,000円
      学生一般 1,000円

    ◇ 問い合わせ先
        多留谷 政良(三菱電機)        e-mail:Tarutani.Masayoshi@da.MitsubishiElectric.co.jp
        西脇 克彦(トヨタ自動車)      e-mail:katsuhiko_nishiwaki@mail.toyota.co.jp
        石田 昌宏(パナソニック)      e-mail:ishida.masahiro002@jp.panasonic.com
        田中 保宣(産業技術総合研究所)e-mail:yasunori-tanaka@aist.go.jp
        五十嵐 周(応用物理学会事務局)e-mail:divisions@jsap.or.jp

 

 

  • 【公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会】
    第3回個別討論会「GaN縦型パワーデバイスのドリフト層成長技術」 
    ◇ 日時: 2017年12月12日(火) 13:00~17:30
    ◇ 場所: 名古屋大学東山キャンパス NIC館1階 会議室(Idea Stoa)
    地下鉄 名古屋大学駅下車すぐ http://www.aip.nagoya-u.ac.jp/center/
    次世代パワーデバイスとしてGaN基板上GaN縦型パワーデバイスに注目が集まってい る。
    ドリフト層(耐圧維持層)のエピタキシャル成長技術は縦型パワーデバイスの根幹をなす。
    低ドープで転位や深い準位のない高品質の厚膜層が必要となるが、GaNの過去の発光デバイス、電子デバイス開発においてこのような要求はなく、新規技術の開発が必要となる。
    本討論会では、GaN縦型パワーデバイスのドリフト層成長に求められる要請を整理し、重要な課題である深い準位(点欠陥)についてこれまでの知見を整理する。
    それを踏まえてGaNエピ技術の主流であるMOVPE法の最新の状況、そして、 高速成長、炭素不純物フリー成長が期待されているHVPE法の新たな試みについて紹介頂き、関連技術やエピ評価、デバイス特性への影響などについて参加者から話題提供を頂いて活発な議論を行う。
    ・・・・・・・・・・・・・プログラム・・・・・・・・・・・・・・・
    13:00~13:20 GaN縦型パワーデバイスに求められるドリフト層成長技術
            須田 淳(名古屋大学)
    13:20~13:40 GaNで観測される各種点欠陥
            徳田 豊(愛知工業大学)
    13:40~14:00 GaNの低転位密度化・高純度化と主要な非輻射再結合中心
            秩父 重英(東北大学多元研/名古屋大学IMaSS)
    14:20~14:50 MOVPE法による低ドープGaNホモエピタキシャル成長技術
            成田 哲生(豊田中央研究所)
    14:50~15:20 HVPE法による高純度GaNホモエピタキシャル高速成長技術
            藤倉 序章(サイオクス)
    15:20~16:00 参加者からの話題提供 (数件)
    16:20~17:30 総合討論
    ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
    ■参加について: GaN縦型パワーデバイス実現のために必要な、低ドープ・厚膜ドリフト層のエピタキシャル成長技術、エピ評価、デバイス試作等の研究に関わっている方を主な対象として、全員参加で議論を行う討論会ですので情報収集のみの参加はお断りします。WEBから参加申し込みを行っていただく際に、議論できる内容や取り組んでいる研究の概要や提供可能な話題などについて記述いただきます。議論を密に行うため人数を最大50名程度とし、参加申し込みが多い場合は申し込み時の記述をもとに選定させていただきます。
    ■参加受付: WEB参加受付システムから参加登録をお願いします。
    https://annex.jsap.or.jp/limesurvey/index.php/745741/lang-ja
    締切日を11月20日(月)とします。
    ■参加費:(テキスト代・消費税込)当日会場にてお支払いください。
    先進パワー半導体分科会会員* 2,000円、分科会学生会員 1,000円、
    一般 4,000円、一般学生 1,000円
    *先進パワー半導体分科会賛助会員所属の方は分科会会員扱いとします。  
    問合せ先:
    須田 淳(名古屋大学)  e-mail: suda@nagoya-u.jp
    上野 勝典(富士電機)  e-mail: ueno-katsunori@fujielectric.com
    岡 徹(豊田合成)      e-mail: toru.oka@toyoda-gosei.co.jp
    岡山 昇平(応用物理学会事務局) e-mail: divisions@jsap.or.jp

 

  • 【JST研究成果展開事業 京都地域スーパークラスタープログラム クラスターフォーラム開催のご案内】
    京都府、京都市、(公財)京都高度技術研究所の共同提案による国立研究開発法人科学技術振興機構公募事業である研究成果展開事業「京都地域スーパークラスタープログラム」は、長野、福井、滋賀の3地域との広域連携のもと、平成25年12月に開始しました。本プログラムでは、先進パワー半導体として有望なSiCに注目し、SiCパワーデバイスの本格普及と社会実装を促進し、「クリーン・低環境負荷社会を実現する高効率エネルギー利用システムの構築」を目指してきました。
    このたび、事業期間である5年度間が終了することから、本プログラムの総括を行うとともに、今後に向けた議論を行うことを目的としたフォーラムを開催します。あわせて、この期間に誕生した成果についても展示を行います。SiCパワーデバイスを中心としたパワーエレクトロニクスに取り組まれている、またご関心のある方々ほか、産業界をはじめとする幅広い分野の方々の参加をお待ちしています。
    開催案内 https://kyoto.supercluster.jp/2017/09/26/clusterforum2017/
    ■日時:平成29年11月10日(金)13:00-17:15(開場:12:00)
    ■会場:ホテルグランヴィア京都 5階 古今の間(京都市下京区烏丸通塩小路下ル JR京都駅中央口)
    会場案内 http://www.granvia-kyoto.co.jp/access/
    ■プログラム:
    13:00~13:20 開会挨拶 (主催者挨拶、来賓挨拶)
    13:20~13:50 京都地域スーパークラスターの活動実績と今後の展墓
             西本 清一 氏(京都地域スーパークラスタープログラム代表研究統括/
            (地独)京都市産業技術研究所 理事長/(公財)京都高度技術研究所 理事長)
    13:50~14:15 「パワエレ応用回路設計」を基盤とする実装モジュール開発  舟木 剛 氏(大阪大学大学院 教授)
    14:15~14:40 次世代パワーデバイス開発と産産学連携による実装製品開発の推進 
             中村 孝 氏(ローム株式会社 研究開発部 主席研究員)
    14:40~14:55 次世代マイクロスマートグリッドシステムの開発と国際ビジネス展開
             今井 尊史 氏(株式会社アイケイエス 代表取締役社長)
    14:55~15:20 次世代パワーエレクトロニクスを活用したインテリジェントモータの開発
             福永 泰 氏(日本電産株式会社 専務執行役員)
    15:20~15:45 休憩・展示
    15:45~17:10 パネルディスカッション
    -産産学連携オープンイノベーションの「京都モデル」構築から「SiCパワエレ産業クラスター」形成へー
    モデレータ:西本 清一 氏(京都地域スーパークラスタープログラム代表研究統括)
    パネリスト:今井 尊史 氏(株式会社アイケイエス 代表取締役社長)
    (50音順)福永 泰 氏(日本電産株式会社 専務執行役員)
          舟木 剛 氏(大阪大学大学院 教授)
          松波 弘之 氏(京都大学 名誉教授/
          国立研究開発法人科学技術振興機構 産学連携アドバイザー)
    17:10~17:15 閉会挨拶
    17:15~19:00 交流会
    ■参加費:無料 (交流会参加者は3,000円)
    ■定員 :200名(事前申込制・先着順)
    ■主催 :京都府、京都市、公益財団法人京都高度技術研究所
    ■共催 :国立研究開発法人科学技術振興機構
    ■申込方法:
     https://kyoto.supercluster.jp/2017/09/26/clusterforum2017/
    ■申込締切:平成29年10月31日(定員になり次第、締め切り)
    <お問合せ先>
    公益財団法人京都高度技術研究所 スーパークラスター事業推進部
    TEL:075-366-5269 FAX:075-366-5341
    E-mail:sc_gr[at]astem.or.jp
    ※メールアドレスの[at]を半角@マークに代えて送信してください。

     

  • 【JST研究成果展開事業 京都地域スーパークラスタープログラム】
    「第2回 回路・システム研究開発グループ研究会ー高周波スイッチング回路技術開発とその応用ー」開催のご案内
    (公財)京都高度技術研究所は京都府、京都市とともに、国立研究開発法人科学技術振興機構(JST)の委託事業「研究成果展開事業(スーパークラスタープログラム)」に採択され、平成25年12月よりパワーエレクトロニクスの技術革新により新産業創出への貢献を目指す「クリーン・低環境負荷社会を実現する高効率エネルギー利用システムの構築」を実施しています。
    本プログラムの研究開発グループの一つ、「回路・システム研究開発グループ」では、(1)SiCパワーモジュール技術開発とその応用、(2)高周波スイッチング回路技術開発とその応用の2本柱のもと、大学を中心とする先行技術開発と産学連携による応用開発を組み合わせて、SiCを中心とした次世代パワーエレクトロニクス技術の開発に取り組んでいます。当グループでは本プログラム最終年度にあたり、2回に分けて研究開発の成果を発表し、SiCパワーデバイスの社会実装加速にむけて議論頂く機会を設けることとしました。この度、第2回として『高周波スイッチング回路技術開発とその応用』についての研究会を開催致します。
    SiC応用製品の研究開発、あるいはSiCパワーモジュール関連製品の研究開発にご関心をお持ちの幅広い分野の方々のご参加をお待ちしています。
    開催案内 https://kyoto.supercluster.jp/2017/09/20/groups/
    ■日時:平成29年11月8日(水)13:30-17:00(受付開始:13:00)
    ■会場:京都リサーチパーク西地区 4号館 2階 ルーム1(京都市下京区中堂寺粟田町93番地)
    会場案内 http://www.krp.co.jp/access/
    ■プログラム:
    13:30~13:35 開会挨拶
    13:35~14:20 「高周波スイッチング応用」
             引原 隆士 氏(京都大学大学院 教授)
             奥田 貴史 氏(京都大学大学院 助教)
    14:20~14:50 「高周波ゲートドライバの開発」
             小林 和淑 氏(京都工芸繊維大学 教授)
             古田 潤 氏(京都工芸繊維大学 助教)
    14:50~15:20 「デバイスモデル/回路解析」
             佐藤 高史 氏(京都大学大学院 教授)
             新谷 道広 氏(奈良先端科学技術大学院大学 助教)
    15:20~15:30 休憩
    15:30~16:00 「電力パケット化装置開発」
             高橋 亮 氏(愛知工科大学 准教授)
    16:00~16:30 「電力パケット配送プロトコルの設計と実装」
             岡部 寿男 氏(京都大学学術情報メディアセンター 教授)
             中野 博樹 氏(京都大学学術情報メディアセンター 博士課程)
    16:30~16:55 ディスカッション
    16:55~17:00 まとめ
             引原 隆士 氏(京都大学大学院 教授)
    ■参加費:無料
    ■定員 :100名(事前申込制・先着順)
    ■主催 :京都府、京都市、公益財団法人京都高度技術研究所
    ■後援 :国立研究開発法人科学技術振興機構
    ■申込方法:
     https://kyoto.supercluster.jp/2017/09/20/groups/
    ■申込締切:平成29年10月31日
    <お問合せ先>
    公益財団法人京都高度技術研究所 スーパークラスター事業推進部
    TEL:075-366-5269 FAX:075-366-5341
    E-mail:sc_gr[at]astem.or.jp
    ※メールアドレスの[at]を半角@マークに代えて送信してください。

     

  • 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回研究会
    「SiCパワーMOSFETに残された課題」
    ◇ 日時: 2017年9月4日(月) 13:00~17:00
    ◇ 場所: リファレンス駅東ビル 3F 会議室H-2、福岡市博多区博多駅東1丁目16-14
     http://www.re-rental.com/ekihigashi/access/
     SiCパワーMOSFETの実用開始から数年が経ち、トレンチ型の採用や大電流モジュール化が進み、更なる高耐圧化も検討されている。
    一方、ゲート電圧の範囲や、ボディダイオードのオン電圧や通電劣化など、Si-MOSFET、IGBTと比較して、使い方に注意が必要である。
    使いやすいSiCパワーMOSFETを実現するために、専門家の方々に現状について報告いただき、今後解決すべき課題及びその展望について討論する。
    開催案内チラシはこちら

     

  • 第1回 回路・システム研究開発グループ研究会ーSiCパワーモジュール技術開発とその応用ー
    JST研究成果展開事業 京都地域スーパークラスタープログラム「第1回 回路・システム研究開発グループ研究会ーSiCパワーモジュール技術開発とその応用ー」開催のご案内
    (公財)京都高度技術研究所は国立研究開発法人科学技術振興機構(JST)の委託事業「研究成果展開事業(スーパークラスタープログラム)」に採択され、平成25年12月よりパワーエレクトロニクスの技術革新により新産業創出への貢献を目指す「クリーン・低環境負荷社会を実現する高効率エネルギー利用システムの構築」を実施しています。
    本プログラムの研究開発グループの一つ、「回路・システム研究開発グループ」では、(1)SiCパワーモジュール技術開発とその応用、(2)高周波スイッチング回路技術開発とその応用の2本柱のもと、大学を中心とする先行技術開発と産学連携による応用開発を組み合わせて、SiCを中心とした次世代パワーエレクトロニクス技術の開発に取り組んでいます。
    当グループでは本プログラム最終年度にあたり、2回に分けて研究開発の成果を発表し、SiCパワーデバイスの社会実装加速にむけて議論頂く機会を設けることとしました。
    この度、第1回として『SiCパワーモジュール技術開発とその応用』についての研究会を開催致します。
    SiC応用製品の研究開発、あるいはSiCパワーモジュール関連製品の研究開発にご関心をお持ちの幅広い分野の方々のご参加をお待ちしています。
    開催案内 https://kyoto.supercluster.jp/2017/06/23/labo-info/
    開催案内チラシはこちら

     

  • 産産学連携SiCフォーラム
    JST研究成果展開事業 京都地域スーパークラスタープログラム「産産学連携SiCフォーラム」開催のご案内
    (公財)京都高度技術研究所は国立研究開発法人科学技術振興機構の委託事業「研究成果展開事業(スーパークラスタープログラム)」に採択され、平成25年12月よりパワーエレクトロニクスの技術革新により新産業創出への貢献を目指す「クリーン・低環境負荷社会を実現する高効率エネルギー利用システムの構築」を実施しています。
    本プログラムの研究開発グループの一つ、「産産学連携実装化推進研究開発グループ」では、次世代パワーエレクトロニクスの担い手であるSiCデバイス搭載による先進的高機能な製品開発を目指し、地域の特長ある製品開発型中小企業が参画、試作から製品化に至るまでの立ち上げを産産学連携により促進しています。
    この度、本プログラムの最終年度にあたり、その成果事例を紹介するフォーラムを開催いたします。
    SiCを採用した各種電源等の応用製品の研究開発、あるいは次世代パワーモジュール関連製品の研究開発及び商品化等にご関心をお持ちの幅広い分野の方々のご参加をお待ちしています。
    開催案内 https://kyoto.supercluster.jp/2017/06/26/forum/
    開催案内チラシはこちら

     

  • 応用物理学会先進パワー半導体分科会第3回講演会およびチュートリアル
    開催日:2016年11月7日(月)~9日(水) 
    開催場所:つくば国際会議場 
    詳細:第3回講演会ホームページ http://annex.jsap.or.jp/adps/scrm/

     

  • 「平成28年度京都地域スーパークラスタープログラム成果発表会
    ~パワーエレクトロニクス応用回路技術によるSiC搭載製品開発の新展開~」開催 
    日時: 平成28年10月31日(月) 13:30-17:05
    場所: 京都リサーチパーク(KRP) 4号館 (京都市下京区)
    主催: 京都高度技術研究所(ASTEM)、京都市、京都府
    概要:1.基調講演: 京大 引原隆士教授、阪大 舟木剛教授
    2.製品開発事例紹介発表: 企業5社
    3.展示ブース出展: 11社(予定)
    参加費: 無料
    開催案内・プログラムはこちら
    詳細および参加申し込みは下記URLの京都高度技術研究所(ASTEM)専用webをご覧ください。
    http://www.astem.or.jp/whatsnew/event/20160909-20106.html

     

  • 第4回GPICシンポジウム開催
    第4回GPICシンポジウムが2016年10月12日(水)14時~17時、東京大学山上会館 大会議室 にて開催されます。案内の閲覧と参加申し込みは、下記URLをご覧ください。
    詳細:第4回GPICシンポジウム
    参加申し込み:https://www.semiconductorportal.com/GPIC/

     

  • 応用物理学会先進パワー半導体分科会(旧SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会)第2回講演会
    開催日:2015年11月9日(月)~10日(火)
    開催場所:第4回GPICシンポジウム
    詳細:第2回講演会ホームページ http://annex.jsap.or.jp/adps/scrm/index.html

     

  • 第3回GPICシンポジウム開催
    第3回GPICシンポジウムが2015年9月28日(月)に開催されます。案内の閲覧と参加申し込みは、下記URLに接続下さい。
    第3回GPICシンポジウム案内:http://www.greenpoweric.org/3rd_gpic_sympo.pdf
    お申込み:https://www.semiconductorportal.com/GPIC/
    GPIC:Green Power Innovative Communicationの HPのURLは、
    http://www.greenpoweric.org/ です。

     

  • 6th ECPE SiC and GaN User Forum
    - Potential of Wide Bandgap Semiconductors in Power Electronic Applications

    主催:ECPE
    開催日:4月20日(月)~21日(火)
    開催場所: Coventry/Warwick, UK
    詳細:ECPE Workshop: ECPE SiC & GaN User Forum

     

  • 27th IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2015)
    開催日:5月10日(日)~14日(水)
    開催場所: Kowloon Shangri-La, Hong Kong
    詳細:ISPSD 2015

     

  • 2015 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology
    開催日:5月18日(月)~21日(木)
    開催場所: Hyatt Regency Scottsdale Resort & Spa at Gainey Ranch Scottsdale, Arizona, USA
    詳細:2015 CS ManTech

     

  • PCIM Europe 2015
    開催日:5月19日(火)~21日(木)
    開催場所: Nuremberg, Germany
    詳細:PCIM Europe 2015

     

  • Compound Semiconductor Week 2015 (ISCS2015)
    開催日:6月28日(日)~7月2日(木)
    開催場所: University of California, Santa Barbara, CA, USA
    詳細:2015 Compound Semiconductor Week

     

  • TIA連携大学院サマー・オープンフェスティバル2015「第四回TIAパワーエレクトロニクス・サマースクール」
    開催日:2015年8月28日(金)~31日(月)
    開催場所: 産業技術総合研究所 つくば西事業所 TIA連携棟
    詳細:TPECホームページ

     

  • 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015)
    主催:応用物理学会
    開催日:9月27日(日)~30日(水)
    開催場所: 札幌コンベンションセンター(札幌市)
    詳細:SSDMホームページ

【JST研究成果展開事業 京都地域スーパークラスタープログラム】
「第2回 回路・システム研究開発グループ研究会ー高周波スイッチング回路技術開発とその応用ー」開催のご案内
(公財)京都高度技術研究所は京都府、京都市とともに、国立研究開発法人科学技術振興機構(JST)の委託事業「研究成果展開事業(スーパークラスタープログラム)」に採択され、平成25年12月よりパワーエレクトロニクスの技術革新により新産業創出への貢献を目指す「クリーン・低環境負荷社会を実現する高効率エネルギー利用システムの構築」を実施しています。
本プログラムの研究開発グループの一つ、「回路・システム研究開発グループ」では、(1)SiCパワーモジュール技術開発とその応用、(2)高周波スイッチング回路技術開発とその応用の2本柱のもと、大学を中心とする先行技術開発と産学連携による応用開発を組み合わせて、SiCを中心とした次世代パワーエレクトロニクス技術の開発に取り組んでいます。当グループでは本プログラム最終年度にあたり、2回に分けて研究開発の成果を発表し、SiCパワーデバイスの社会実装加速にむけて議論頂く機会を設けることとしました。この度、第2回として『高周波スイッチング回路技術開発とその応用』についての研究会を開催致します。
SiC応用製品の研究開発、あるいはSiCパワーモジュール関連製品の研究開発にご関心をお持ちの幅広い分野の方々のご参加をお待ちしています。
開催案内 https://kyoto.supercluster.jp/2017/09/20/groups/
■日時:平成29年11月8日(水)13:30-17:00(受付開始:13:00)
■会場:京都リサーチパーク西地区 4号館 2階 ルーム1(京都市下京区中堂寺粟田町93番地)
会場案内 http://www.krp.co.jp/access/
■プログラム:
13:30~13:35 開会挨拶
13:35~14:20 「高周波スイッチング応用」
         引原 隆士 氏(京都大学大学院 教授)
         奥田 貴史 氏(京都大学大学院 助教)
14:20~14:50 「高周波ゲートドライバの開発」
         小林 和淑 氏(京都工芸繊維大学 教授)
         古田 潤 氏(京都工芸繊維大学 助教)
14:50~15:20 「デバイスモデル/回路解析」
         佐藤 高史 氏(京都大学大学院 教授)
         新谷 道広 氏(奈良先端科学技術大学院大学 助教)
15:20~15:30 休憩
15:30~16:00 「電力パケット化装置開発」
         高橋 亮 氏(愛知工科大学 准教授)
16:00~16:30 「電力パケット配送プロトコルの設計と実装」
         岡部 寿男 氏(京都大学学術情報メディアセンター 教授)
         中野 博樹 氏(京都大学学術情報メディアセンター 博士課程)
16:30~16:55 ディスカッション
16:55~17:00 まとめ
         引原 隆士 氏(京都大学大学院 教授)
■参加費:無料
■定員 :100名(事前申込制・先着順)
■主催 :京都府、京都市、公益財団法人京都高度技術研究所
■後援 :国立研究開発法人科学技術振興機構
■申込方法:
 https://kyoto.supercluster.jp/2017/09/20/groups/
■申込締切:平成29年10月31日
<お問合せ先>
公益財団法人京都高度技術研究所 スーパークラスター事業推進部
TEL:075-366-5269 FAX:075-366-5341
E-mail:sc_gr[at]astem.or.jp
※メールアドレスの[at]を半角@マークに代えて送信してください。

関連ファイルダウンロード

Get Adobe Reader

PDFファイルをご覧いただくにはAdobe Readerが必要です。
お持ちでない方は、左のボタンをクリックしてAdobe Readerをダウンロード(無料)してください。