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国内外のニュース/情報

STMicroが第3世代SiCパワーMOSFET、まずは車載向け

2021年12月23日

伊仏合弁STMicroelectronics(STマイクロエレクトロニクス)は、同社の第3世代に当たるSiCパワーMOSFETを開発した。第3世代品の特徴は、前世代品に比べて性能指数(FOM:Figure Of Merit)を改善したことにある。同社によると、「オン抵抗とチップ面積の積で求めるFOMは30%程度、オン抵抗と総ゲート容量の積で求めるFOMは50%程度改善した」という。このため導通損失を減らせると同時に、スイッチング周波数を高めてもスイッチング損失を抑えられ、電源回路の電力密度と変換効率を高められる。第3世代では、+650V耐圧品と、+750V耐圧品、+1200V耐圧品を市場投入する予定。

出典:日経XTECH

https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/11906/