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産総研 パワー半導体用大口径SiCウェハの高速研磨技術を開発

2021年8月31日

産業技術総合研究所)先進パワーエレクトロニクス研究センターは、株式会社ミズホと不二越機械工業株式会社と共同でSiCウェハの平坦化を高速で達成するラッピング技術を開発した。特に、低速度だった鏡面化工程では従来の12倍の研磨速度が得られ、枚様式加工法の鏡面研削工程に匹敵する新たなバッチ式加工技術を確立した。
なお、本技術の詳細は、2021年9月1日よりオンラインで開催される砥粒加工学会学術講演会(ABTEC2021)にて報告される。

出典:産総研 HP

https://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2021/pr20210831_2/pr20210831_2.html