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実装面積を27％削減した650 V耐圧のSJ型MOSFET、東芝が発売
2021年3月18日
東芝デバイス&ストレージは、外形寸法が9.9 mm×11.68 mm×2.3 mmと小さいTOLLパッケージに封止した650 V耐圧のスーパージャンクション型パワーMOSFETを発売。同社従来品に比べて実装面積を約27％削減したことに加え、ケルビンソースを採用したことでスイッチング損失を低減した。
出典：日経xTECH
- 2021年4月8日
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東芝デバイス&ストレージは、外形寸法が9.9 mm×11.68 mm×2.3 mmと小さいTOLLパッケージに封止した650 V耐圧のスーパージャンクション型パワーMOSFETを発売。同社従来品に比べて実装面積を約27％削減したことに加え、ケルビンソースを採用したことでスイッチング損失を低減した。
出典：日経xTECH