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国内外のニュース/情報

東芝、鉄道車両向けに3.3 kV耐圧のSiC MOSFETモジュール

2021年3月11日

東芝デバイス&ストレージは、3.3 kV耐圧のSiCパワーMOSFETを2個搭載した小型モジュールを開発。Ag焼結結合技術を使ってSiCパワーMOSFETや配線などを接続したため、最大動作チャネル温度を175 ℃に高めると同時に、モジュールの小型化や回路全体の寄生インダクタンスの低減が可能になったという。

出典:日経xTECH

https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/09839/