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国内外のニュース/情報

IGBTとSiCダイオードを収めたスイッチング素子、Infineonが発売

2021年2月12日

独Infineon Technologiesは、IGBTとSiCショットキー・バリアー・ダイオード(SBD)を1つのパッケージに収めたスイッチング素子を発売。IGBTもSiC SBDも耐圧は650 Vであり、Si SBDを組み合わせた場合に比べて、オン時のスイッチング損失を約60%、オフ時のスイッチング損失を約30%低減できることが特徴である。

出典:日経xTECH

https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/09631/