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国内外のニュース/情報

SiCより25%も損失低威、EV向けGaN FETをTransphorm発売

2020年12月14日

米Transphormは、オン抵抗が18 mΩと低い650 V耐圧のGaN FET「TP65H015G5WS」を発売。カスコード接続によるノーマリオフ型の素子であり、SiCパワーMOSFETなどよりもオン抵抗を低くできたとしている。

出典:日経xTECH

https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/09312/