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IGBTの性能はまだ伸びる、新構造で損失6割減、SiCに迫る勢い

2020年12月11日

東京大学などのグループは、新しい構造で損失を低減したSi IGBTを試作した。表面と裏面にゲートを作りこんだダブルゲート構造を採用し、従来構造と比べてターンオフ時に生じる損失を約6割削減できるのが特徴である。

出典:日経xTECH

https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/column/18/00001/04952/