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損失を約30%削減したSiCパワーMOSFET、三菱電機が発売

2020年11月11日

三菱電機は、同社従来品に比べてスイッチング損失を約30%低減した1200 V耐圧SiCパワーMOSFETを6製品開発した。4端子TO-247パッケージを採用し、寄生インダクタンスを減らしてゲート電圧の低下を防ぐことで、スイッチング損失を低減した。

出典:日経xTECH

https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/09093/