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国内外のニュース/情報

東芝がSiCの外販に本気、ダイオード内蔵MOSFETで攻勢

2020年10月29日

東芝デバイス&ストレージは2020年10月、ショットキー・バリア・ダイオードを内蔵した耐圧1200 VのSiC MOSFETを製品化し、外部企業に対して出荷を始めた。SiC MOSFETの外販で競合に後れを取っていた同社が、今回の新製品を皮切りに巻き返しを図る。

出典:日経xTECH

https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/column/18/00001/04773/