1. ホーム
  2. 国内外のニュース/情報>
  3. 記事情報>
  4. 2020年>
  5. 【SiC MOS酸化膜高品質化へのブレークスルー】(記事:5件)

国内外のニュース/情報

【SiC MOS酸化膜高品質化へのブレークスルー】(記事:5件)

1.ソース:京都大学HP

“逆転の発想でSiCパワー半導体の高品質化に成功 -非酸化による酸化膜形成で高品質化10倍-”

https://www.kyoto-u.ac.jp/ja/research/research_results/2020/200821_1.html

 

2.ソース:東京工業大学HP

“逆転の発想でSiCパワー半導体の高品質化に成功 非酸化による酸化膜形成で高品質化10倍”

https://www.titech.ac.jp/news/2020/047759.html

 

3.ソース:EE Times

“新手法の酸化膜形成でSiC-MOSFETの性能が10倍に”

https://eetimes.jp/ee/articles/2008/21/news089.html

 

4.ソース:電波新聞Webサイト

“SiCパワー半導体の低コスト化へ前進 京大・木本教授らが独自のSiO₂/SiC形成法を発見”

https://dempa-digital.com/article/104005

 

5.ソース:OPTRONICS Online

“京大ら,SiCパワー半導体の欠陥を1桁低減”

http://www.optronics-media.com/news/20200825/67330/