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【SiC MOS酸化膜高品質化へのブレークスルー】（記事：5件）
１．ソース：京都大学HP
“逆転の発想でSiCパワー半導体の高品質化に成功 －非酸化による酸化膜形成で高品質化10倍－”
https://www.kyoto-u.ac.jp/ja/research/research_results/2020/200821_1.html
２．ソース：東京工業大学HP
“逆転の発想でSiCパワー半導体の高品質化に成功 非酸化による酸化膜形成で高品質化10倍”
https://www.titech.ac.jp/news/2020/047759.html
３．ソース：EE Times
“新手法の酸化膜形成でSiC-MOSFETの性能が10倍に”
https://eetimes.jp/ee/articles/2008/21/news089.html
４．ソース：電波新聞Webサイト
“SiCパワー半導体の低コスト化へ前進 京大・木本教授らが独自のSiO₂/SiC形成法を発見”
https://dempa-digital.com/article/104005
５．ソース：OPTRONICS Online
“京大ら，SiCパワー半導体の欠陥を1桁低減”
- 2020年10月22日
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