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国内外のニュース/情報

東芝が車載向けLDMOSの耐圧劣化メカニズムを解明、信頼性向上へ

2020年9月28日

東芝デバイス&ストレージとジャパンセミコンダクターは、pチャネルLDMOS(Laterally Double Diffused MOS)トランジスタの耐圧劣化のメカニズムを解明した。STI(Shallow Trench Isolation)の底部に電子がたまることを考慮してシミュレーションすると、耐圧低下が再現された。

出典:日経xTECH

https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/08810/