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国内外のニュース/情報

オン抵抗が3.2 mΩと低い100 V耐圧GaN FET、EPCが発売

2020年9月25日

米Efficient Power Conversionは、オン抵抗が3.2 mΩと低い100 V耐圧のGaNパワートランジスタ「EPC2218」を発売。同社従来品と比べ、最大ドレイン電流を増やしたと同時に、オン抵抗を約20%削減した。

出典:日経xTECH

https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/08811/