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国内外のニュース/情報

オン抵抗が8 mΩと低い200 V耐圧GaN FET、EPC発売

2020年8月21日

米Efficient Power Conversion(EPC)は、オン抵抗が8 mΩと低い200 V耐圧GaNパワートランジスタを発売した。ゲート-ドレイン間の電荷量が1.6 nCと小さく、実装面積が従来の約半分となっている。

出典:日経xTECH

https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/08596/