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国内外のニュース/情報

オン抵抗が50 mΩと小さい900 V耐圧GaN FET、Transphorm発売

2020年8月21日

米Transphormは、オン抵抗が50 mΩと小さい、900 V耐圧のGaN FETを発売した。従来品の170 mΩと比べ大幅にオン抵抗が抑えられており、1 kV程度の過渡的なスパイク電圧に耐えることができるという特長も有する。

出典:日経xTECH

https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/08581/