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国内外のニュース/情報

30年来の課題解決に道、SiC MOSFETのコストを数分の1へ 京大と東工大のグループが新たな酸化膜形成法

2020年8月21日

京都大学と東京工業大学の研究グループは、SiC MOSFETのゲート酸化膜の界面で生じる欠陥を約1/10に低減した。(APEXに掲載された論文によると、SiC表面に水素エッチング前処理を施し、そこへSiを堆積して低温で酸化し、その後に超高温窒素熱処理を行うことで、極めて低い界面準位密度を実現している。)

出典:日経xTECH

https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/column/18/00001/04480/