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国内外のニュース/情報

SiC MOSFETの結晶欠陥問題を解決へ、東芝が新デバイス構造

2020年8月3日

東芝デバイス&ストレージ社は、積層欠陥の増大を抑えるためにpn接合ダイオードと並列にSBDを配置した構造を有するSiC MOSFETを開発した。SBD内蔵SiCパワーMOSFETはオン抵抗が大きくなるため、高耐圧の製品に適用が限られていたが、MOSFET領域とSBD領域の面積比率を最適化するとこで、従来に比べて低耐圧の製品にも適用することに成功した。(PCIM Europeにおいて報告があった内容)

出典:日経xTECH

https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/08478/