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「業界トップの低オン抵抗を実現」、ロームが第4世代のSiCパワーMOSFETを開発

2020年6月18日

ロームは、特性オン抵抗を同社従来品に比べて約40%削減した第四世代1200 V耐圧SiCパワーMOSFETを開発した。ダブルトレンチ構造のさらなる改良により、オン抵抗と短絡耐量のトレードオフを改善することで、オン抵抗の削減を実現した。

出典:日経xTECH

https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/08155/